MOSFET과 IGBT의 차이점은 무엇입니까? Olukey가 귀하의 질문에 답변해 드립니다!

스위칭 소자로서 MOSFET과 IGBT는 전자 회로에 자주 등장합니다. 또한 외관 및 특성 매개변수도 유사합니다. 많은 사람들이 왜 일부 회로에서는 MOSFET을 사용해야 하고 다른 회로에서는 MOSFET을 사용해야 하는지 궁금해할 것이라고 생각합니다. IGBT?

그들 사이의 차이점은 무엇입니까? 다음,올루키귀하의 질문에 답변 해 드리겠습니다!

은 무엇입니까?MOSFET?

MOSFET, 전체 중국어 이름은 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터입니다. 이 전계 효과 트랜지스터의 게이트는 절연층에 의해 절연되어 있으므로 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터라고도 합니다. MOSFET은 "채널"(작동 캐리어)의 극성에 따라 "N형"과 "P형"의 두 가지 유형으로 나눌 수 있으며 일반적으로 N MOSFET 및 P MOSFET이라고도 합니다.

MOSFET 자체에는 VDD가 과전압일 때 MOSFET이 소진되는 것을 방지하는 데 사용되는 자체 기생 다이오드가 있습니다. 과전압으로 인해 MOSFET이 손상되기 전에 다이오드가 먼저 역파괴되어 큰 전류를 접지로 보내 MOSFET이 소손되는 것을 방지합니다.

IGBT란 무엇입니까?

IGBT(Insulated Gate Bipole Transistor)는 트랜지스터와 MOSFET으로 구성된 복합 반도체 소자입니다.

IGBT의 회로 기호는 아직 통일되지 않았습니다. 회로도를 그릴 때 일반적으로 3극관과 MOSFET의 기호를 차용합니다. 이때 회로도에 표시된 모델에서 IGBT인지 MOSFET인지 판단할 수 있습니다.

동시에 IGBT에 바디 다이오드가 있는지 여부에도 주의를 기울여야 합니다. 사진에 표시가 없다고 해서 존재하지 않는 것은 아닙니다. 공식 데이터에 달리 명시되지 않는 한 이 다이오드가 존재합니다. IGBT 내부의 바디 다이오드는 기생하지 않지만 IGBT의 취약한 역내전압을 보호하기 위해 특별히 설정되었습니다. FWD(Freewheeling Diode)라고도 합니다.

둘의 내부 구조가 다릅니다

MOSFET의 3극은 소스(S), 드레인(D), 게이트(G)입니다.

IGBT의 세 극은 컬렉터(C), 이미터(E), 게이트(G)입니다.

IGBT는 MOSFET의 드레인에 추가 레이어를 추가하여 구성됩니다. 내부 구조는 다음과 같습니다.

두 가지의 적용 분야가 다릅니다

MOSFET과 IGBT의 내부 구조는 서로 다르며 이에 따라 응용 분야가 결정됩니다.

MOSFET의 구조로 인해 일반적으로 KA에 도달할 수 있는 큰 전류를 달성할 수 있지만 전제 조건 내전압 성능은 IGBT만큼 강하지 않습니다. 주요 응용 분야는 스위칭 전원 공급 장치, 안정기, 고주파 유도 가열, 고주파 인버터 용접기, 통신 전원 공급 장치 및 기타 고주파 전원 공급 장치 분야입니다.

IGBT는 많은 전력, 전류, 전압을 생산할 수 있지만 주파수가 너무 높지는 않습니다. 현재 IGBT의 하드 스위칭 속도는 100KHZ에 도달할 수 있습니다. IGBT는 용접 기계, 인버터, 주파수 변환기, 전기 도금 전해 전원 공급 장치, 초음파 유도 가열 및 기타 분야에서 널리 사용됩니다.

MOSFET 및 IGBT의 주요 특징

MOSFET은 높은 입력 임피던스, 빠른 스위칭 속도, 우수한 열 안정성, 전압 제어 전류 등의 특성을 가지고 있습니다. 회로에서는 증폭기, 전자 스위치 및 기타 용도로 사용할 수 있습니다.

새로운 유형의 전자 반도체 장치인 IGBT는 높은 입력 임피던스, 낮은 전압 제어 전력 소비, 간단한 제어 회로, 높은 전압 저항 및 큰 전류 허용 오차 특성을 가지며 다양한 전자 회로에 널리 사용됩니다.

IGBT의 이상적인 등가 회로는 아래 그림에 나와 있습니다. IGBT는 실제로 MOSFET과 트랜지스터의 조합입니다. MOSFET은 온 저항이 높다는 단점이 있지만 IGBT는 이러한 단점을 극복합니다. IGBT는 여전히 고전압에서 온 저항이 낮습니다. .

일반적으로 MOSFET의 장점은 고주파 특성이 좋고, 수백 kHz~최대 MHz의 주파수에서 동작할 수 있다는 점이다. 단점은 온 저항이 크고 고전압, 고전류 상황에서 전력 소비가 크다는 점입니다. IGBT는 낮은 온 저항과 높은 내전압으로 저주파 및 고전력 상황에서 잘 작동합니다.

MOSFET 또는 IGBT 선택

회로에서 전원 스위치 튜브로 MOSFET을 선택할지 IGBT를 선택할지는 엔지니어가 자주 직면하는 질문입니다. 시스템의 전압, 전류, 스위칭 전력 등의 요소를 고려하면 다음과 같은 사항을 요약할 수 있습니다.

사람들은 종종 "MOSFET이나 IGBT가 더 좋나요?"라고 묻습니다. 사실 둘 사이에는 좋고 나쁨의 차이가 없습니다. 가장 중요한 것은 실제 적용을 보는 것입니다.

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