MOSFET이란 무엇입니까? 주요 매개 변수는 무엇입니까?

스위칭 전원 공급 장치나 모터 구동 회로를 설계할 때MOSFET, MOS의 온 저항, 최대 전압, 최대 전류 등의 요소가 일반적으로 고려됩니다.

MOSFET 튜브는 강화형 또는 공핍형, P채널 또는 N채널 총 4가지 유형으로 제작할 수 있는 FET 유형입니다. Enhanced NMOSFET과 Enhancement PMOSFET이 일반적으로 사용되는데 이 두 가지를 주로 언급합니다.

이 두 가지가 더 일반적으로 사용되는 것은 NMOS입니다. 그 이유는 전도성 저항이 작고 제조가 용이하기 때문이다. 따라서 NMOS는 일반적으로 스위칭 전원 공급 장치 및 모터 구동 애플리케이션에 사용됩니다.

MOSFET 내부에는 사이리스터가 드레인과 소스 사이에 배치되는데, 이는 모터와 같은 유도성 부하를 구동하는 데 매우 중요하며 일반적으로 집적 회로 칩에는 존재하지 않고 단일 MOSFET에만 존재합니다.

MOSFET의 3개 핀 사이에 기생 용량이 존재하는데, 이는 꼭 필요한 것은 아니지만 제조 공정의 한계로 인해 발생합니다. 기생 용량이 존재하면 드라이버 회로를 설계하거나 선택할 때 더 번거롭지만 피할 수는 없습니다.

주요 매개 변수MOSFET

1, 개방 전압 VT

개방 전압(임계 전압이라고도 함): 소스 S와 드레인 D 사이에 전도성 채널을 형성하기 시작하는 데 필요한 게이트 전압입니다. 표준 N채널 MOSFET, VT는 약 3~6V입니다. 공정 개선을 통해 MOSFET VT 값을 2~3V까지 낮출 수 있다.

2, DC 입력 저항 RGS

게이트 소스 폴과 게이트 전류 사이에 추가된 전압의 비율 이 특성은 게이트를 통해 흐르는 게이트 전류로 표현되는 경우가 있으며, MOSFET의 RGS는 쉽게 1010Ω을 초과할 수 있습니다.

3. 드레인 소스 항복 BVDS 전압.

VGS = 0(향상됨) 조건에서 드레인-소스 전압을 증가시키는 과정에서 VDS를 드레인-소스 항복 전압 BVDS라고 하면 ID가 급격하게 증가합니다. ID는 다음 두 가지 이유로 급격하게 증가합니다. (1) 눈사태 드레인 근처 공핍층의 항복, (2) 드레인과 소스 극 사이의 침투 항복, 트렌치 길이가 더 짧은 일부 MOSFET은 VDS를 증가시켜 드레인 영역의 드레인층이 소스 영역으로 확장됩니다. 만들기 채널 길이가 0입니다. 즉, 드레인-소스 침투를 생성하려면 소스 영역의 대부분의 캐리어가 공핍층의 전기장에 의해 드레인 영역으로 직접 끌어당겨 ID가 커집니다.

4, 게이트 소스 항복 전압 BVGS

게이트 전압이 증가할 때, IG가 0에서 증가할 때의 VGS를 게이트 소스 항복 전압(BVGS)이라 한다.

5、저주파 트랜스컨덕턴스

VDS가 고정된 값일 때, 변화를 일으키는 게이트 소스 전압의 미량 변동에 대한 드레인 전류의 미량 변동의 비율을 상호 컨덕턴스라고 하며, 이는 게이트 소스 전압이 드레인 전류를 제어하는 ​​능력을 반영하며, 증폭 능력을 특징짓는 중요한 매개변수MOSFET.

6, 온저항 RON

온-저항 RON은 VDS가 ID에 미치는 영향을 나타내며, 특정 지점에서 드레인 특성의 접선 기울기의 역수이며, 포화 영역에서는 ID가 VDS와 거의 변하지 않으며, RON은 매우 큽니다. 값은 일반적으로 수십 킬로옴에서 수백 킬로옴입니다. 디지털 회로에서 MOSFET은 종종 전도성 VDS = 0 상태에서 작동하므로 이 시점에서 온 저항 RON은 RON의 원점을 기준으로 근사화하여 일반 MOSFET의 경우 수백 Ω 이내의 RON 값을 근사화할 수 있습니다.

7, 극간 용량

3개의 전극 사이에는 게이트 소스 커패시턴스 CGS, 게이트 드레인 커패시턴스 CGD, 드레인 소스 커패시턴스 CDS-CGS 사이에 극성 커패시턴스가 존재하며 CGD는 약 1~3pF, CDS는 약 0.1~1pF입니다.

8、저주파 잡음 계수

소음은 파이프라인 내 캐리어 이동의 불규칙성으로 인해 발생합니다. 그 존재로 인해 증폭기에서 전달되는 신호가 없더라도 출력에서 ​​불규칙한 전압 또는 전류 변화가 발생합니다. 소음 성능은 일반적으로 소음 계수 NF로 표현됩니다. 단위는 데시벨(dB)이다. 값이 작을수록 튜브에서 발생하는 소음이 줄어듭니다. 저주파 잡음 인자는 저주파 범위에서 측정된 잡음 인자입니다. 전계 효과 튜브의 잡음 인자는 약 몇 ​​dB로 양극 3극관의 잡음 인자보다 작습니다.