전력 MOSFET의 구조 이해

게시 시간: 2024년 12월 18일

전력 MOSFET 구조 이해

소스 금속: 전류 수집 및 배포를 위한 상단 금속층
n+ 소스 지역: 캐리어 주입을 위한 고농도 도핑 영역
p-바디 영역: 전류 흐름을 위한 채널을 만듭니다.
n- 드리프트 지역: 전압 차단 기능 지원
n+ 기판: 배수에 대한 낮은 저항 경로 제공
배수 금속: 전류 흐름을 위한 하단 금속 접점

전력 MOSFET은 고전압 및 전류를 처리하도록 설계된 현대 전력 전자 장치의 중요한 구성 요소입니다. 효율적인 전력 처리 기능을 가능하게 하는 고유한 구조적 특징을 살펴보겠습니다.

기본 구조 개요

소스 금속 ║ ╔===╩===╗ ║ n+ ║ n+ ║ 소스 ====╝ ╚==== p+ p 몸체 │ │ n- 드리프트 영역 │ │ =========== ===== n+ 기판 ║ ╨ 드레인 금속

일반적인 Power MOSFET의 단면도

파워 MOSFET은 일반 MOSFET과 달리 전류가 상단(소스)에서 하단(드레인)으로 흐르는 수직 구조를 채용해 전류 처리 용량을 극대화한다.

높은 차단 전압을 지원하고 전기장 분포를 관리하는 저농도로 도핑된 n 영역이 포함되어 있습니다.