N채널 MOSFET과 P채널 MOSFET의 차이점! MOSFET 제조업체를 더 잘 선택할 수 있도록 도와주세요!

회로 설계자는 MOSFET을 선택할 때 다음 질문을 고려해야 합니다. P채널 MOSFET을 선택해야 할까요, 아니면 N채널 MOSFET을 선택해야 할까요? 제조업체로서 귀하는 귀하의 제품이 더 낮은 가격으로 다른 판매자와 경쟁하기를 원해야 하며, 또한 반복적인 비교를 수행해야 합니다. 그럼 어떻게 선택하나요? 20년 경력의 MOSFET 제조사 OLUKEY가 여러분과 공유하고 싶습니다.

차이점 1: 전도 특성

N채널 MOS의 특징은 Vgs가 특정 값보다 클 때 켜지는 것입니다. 게이트 전압이 4V 또는 10V에 도달하는 한 소스가 접지된 경우(로우엔드 드라이브) 사용에 적합합니다. P채널 MOS의 특성은 Vgs가 특정 값보다 작을 때 켜지는데, 이는 소스가 VCC(하이엔드 드라이브)에 연결된 상황에 적합합니다.

차이점 2:MOSFET스위칭 손실

N채널 MOS이든 P채널 MOS이든 전원을 켠 후에는 온 저항이 있으므로 전류는 이 저항에서 에너지를 소비합니다. 소비되는 에너지의 이 부분을 전도 손실이라고 합니다. 온 저항이 작은 MOSFET을 선택하면 전도 손실이 줄어들며, 현재 저전력 MOSFET의 온 저항은 일반적으로 수십 밀리옴 정도이며 수 밀리옴도 있습니다. 또한 MOS를 켜고 끌 때 즉시 완료되어서는 안 됩니다. 감소하는 과정이 있고 흐르는 전류도 증가하는 과정이 있습니다.

이 기간 동안 MOSFET의 손실은 스위칭 손실이라고 하는 전압과 전류의 곱입니다. 일반적으로 스위칭 손실은 전도 손실보다 훨씬 크며, 스위칭 주파수가 높을수록 손실도 커집니다. 전도 순간의 전압과 전류의 곱은 매우 크고, 발생하는 손실도 매우 크기 때문에 스위칭 시간을 단축하면 각 전도 중 손실이 줄어듭니다. 스위칭 주파수를 줄이면 단위 시간당 스위치 수를 줄일 수 있습니다.

차이점 3: MOSFET 사용

P채널 MOSFET의 정공 이동도는 낮기 때문에 MOSFET의 기하학적 크기와 작동 전압의 절대값이 동일할 때 P채널 MOSFET의 트랜스컨덕턴스는 N채널 MOSFET의 트랜스컨덕턴스보다 작습니다. 또한, P채널 MOSFET의 문턱전압 절대값은 상대적으로 높기 때문에 더 높은 동작전압이 요구된다. P채널 MOS는 로직 스윙이 크고, 충전 및 방전 과정이 길고, 장치 상호 컨덕턴스가 작아서 작동 속도가 느립니다. N채널 MOSFET이 등장한 이후 대부분이 N채널 MOSFET으로 대체되었습니다. 그러나 P채널 MOSFET은 공정이 간단하고 가격이 저렴하기 때문에 일부 중소형 디지털 제어 회로에서는 여전히 PMOS 회로 기술을 사용하고 있다.

자, 패키징 MOSFET 제조업체인 OLUKEY의 오늘 공유는 여기까지입니다. 자세한 내용은 다음에서 확인할 수 있습니다.올키공식 웹사이트. OLUKEY는 20년 동안 MOSFET에 주력해 왔으며 중국 광둥성 선전에 본사를 두고 있습니다. 고전류 전계 효과 트랜지스터, 고전력 MOSFET, 대형 패키지 MOSFET, 소형 전압 MOSFET, 소형 패키지 MOSFET, 소형 전류 MOSFET, MOS 전계 효과 튜브, 패키지 MOSFET, 파워 MOS, MOSFET 패키지, 원래 MOSFET, 패키지 MOSFET 등에 주로 종사합니다. .주요 대리점 제품은 WINSOK입니다.