절연층 게이트 MOSFET 인식

절연층 게이트형 MOSFET 앨리어스MOSFET 게이트 전압과 소스 드레인 중간에 이산화규소 케이블 외장이 있는 MOSFET(이하 MOSFET)입니다.

MOSFET은 또한N채널 및 P 채널 2개 범주가 있지만 각 범주는 강화 및 광고갈 유형 2로 나누어져 총 4가지 유형이 있습니다.N채널 향상, P 채널 강화, N 채널 광 고갈, P 채널 광 고갈 유형. 그러나 게이트 소스 전압이 0인 경우 파이프 강화 튜브의 드레인 전류도 0입니다. 그러나 게이트 소스 전압이 0인 경우 드레인 전류가 0이 아닌 경우 광소비형 튜브로 분류됩니다.
향상된 MOSFET 원리:

게이트 소스의 중간에서 작업할 때 전압을 사용하지 않으면 드레인 소스 PN 접합의 중간이 반대 방향이므로 전도성 채널이 없습니다. 드레인 소스의 중간에 전압이 있더라도 전도성 트렌치 전기가 닫히면 그에 따른 작동 전류를 가질 수 없습니다. 게이트 소스 중간에 양의 방향 전압을 특정 값으로 더하면 드레인 소스 중간에 전도성 안전 채널이 생성되므로 이 게이트 소스 전압에 의해 생성된 전도성 트렌치를 개방 전압 VGS라고 합니다. 게이트 소스 전압의 중간이 클수록 전도성 트렌치가 더 넓어지고 결과적으로 전기 흐름이 더 커집니다.

광소산 MOSFET의 원리:

동작시 Enhanced Type MOSFET과 달리 Gate Source 중앙에 전압을 사용하지 않으며, Drain Source 중앙에 전도성 채널이 존재하여 Drain Source 중앙에 양의 전압만 추가하여 결과적으로 드레인 전류 흐름이 발생합니다. 더욱이, 전압의 양의 방향 중간에 있는 게이트 소스, 전도성 채널 확장, 전압의 반대 방향 추가, 전도성 채널 축소, MOSFET 비교의 향상으로 전기의 흐름이 더 작아질 것입니다. 또한 전도성 채널 내의 특정 수의 영역 중 양수 및 음수일 수도 있습니다.

MOSFET 효능:

첫째, MOSFET을 사용하여 확대합니다. MOSFET 증폭기의 입력 저항은 매우 높기 때문에 전해 커패시터를 적용할 필요 없이 필터 커패시터를 더 작게 만들 수 있습니다.

둘째, MOSFET의 입력 저항이 매우 높기 때문에 특성 임피던스 변환에 특히 적합합니다. 특성 임피던스 변환을 위해 다중 레벨 증폭기 입력단에서 일반적으로 사용됩니다.

MOSFET은 조정 가능한 저항으로 사용될 수 있습니다.

넷째, MOSFET은 DC 전원으로서 편리할 수 있다.

V. MOSFET은 스위칭 소자로 사용될 수 있습니다.