Triode와 MOSFET을 선택할 때 어떤 매개변수에 주의해야 합니까?

전자 부품에는 전기적 매개변수가 있으며, 전자 부품의 안정성과 장기적인 작동을 보장하려면 유형을 선택할 때 전자 부품에 충분한 여유를 두는 것이 중요합니다. 다음으로 Triode 및 MOSFET 선택 방법을 간략하게 소개합니다.

Triode는 흐름 제어 장치이고 MOSFET은 전압 제어 장치입니다. 내전압, 전류 및 기타 매개 변수를 고려해야 할 필요성을 선택할 때 둘 사이에는 유사점이 있습니다.

 

1, 최대 내전압 선택에 따라

삼극관 컬렉터 C와 이미터 E는 매개변수 V(BR) CEO 사이의 최대 전압을 견딜 수 있으며, 작동 중 CE 사이의 전압은 지정된 값을 초과해서는 안 됩니다. 그렇지 않으면 삼극관이 영구적으로 손상됩니다.

사용 중 MOSFET의 드레인 D와 소스 S 사이에도 최대 전압이 존재하며, 작동 중 DS 양단의 전압은 지정된 값을 초과해서는 안 됩니다. 일반적으로 내전압 값은 다음과 같습니다.MOSFETTriode보다 훨씬 높습니다.

 

2, 최대 과전류 용량

Triode에는 ICM 파라미터, 즉 콜렉터 과전류 능력이 있으며, MOSFET의 과전류 능력은 ID로 표현됩니다. 현재 작동 시 Triode/MOSFET을 통해 흐르는 전류는 지정된 값을 초과할 수 없습니다. 그렇지 않으면 장치가 연소됩니다.

작동 안정성을 고려하면 일반적으로 30%-50% 이상의 여유가 허용됩니다.

3、작동 온도

상용 등급 칩: 0 ~ +70 ℃의 일반 범위;

산업용 칩: -40 ~ +85 ℃의 일반 범위;

군용 칩: -55 ℃ ~ +150 ℃의 일반 범위;

MOSFET을 선택할 때 제품의 사용 상황에 따라 적절한 칩을 선택하십시오.

 

4, 스위칭 주파수 선택에 따라

삼극관과MOSFET스위칭 주파수/응답 시간 매개변수가 있습니다. 고주파 회로에 사용하는 경우에는 사용 조건에 맞게 스위칭 튜브의 응답 시간을 고려해야 합니다.

 

5、기타 선택 조건

예를 들어, MOSFET의 온 저항 Ron 매개변수, MOSFET의 VTH 턴온 전압MOSFET, 등등.

 

MOSFET 선택은 누구나 위의 점을 조합하여 선택할 수 있습니다.