MOSFET의 동작 원리는 무엇입니까?

MOSFET(FieldEffect Transistor 약어(FET)) 제목MOSFET. 다극 접합 트랜지스터라고도 알려진 소수의 캐리어가 열전도율에 참여합니다. 이는 전압 제어형 반도체 장치로 분류됩니다. 기존 출력 저항은 높음(10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), 저잡음, 저전력 소비, 정적 범위, 통합 용이, 2차 고장 현상 없음, 넓은 바다의 보험 작업 및 기타 장점이 이제 변경되었습니다. 강력한 협력업체인 바이폴라 접합 트랜지스터와 파워 접합 트랜지스터.

MOSFET 특성

첫째: MOSFET은 전압 마스터링 장치로, VGS(게이트 소스 전압)를 통해 마스터 ID(드레인 DC)로 연결됩니다.

두번째:MOSFET의출력 DC는 매우 작으므로 출력 저항이 매우 큽니다.

세 번째: 열을 전도하기 위해 몇 개의 캐리어를 적용하므로 안정성이 더 좋습니다.

넷째: 작은 계수의 전기적 감소의 감소 경로로 구성되어 트랜지스터보다 작은 계수의 전기적 감소의 감소 경로로 구성됩니다.

다섯째: MOSFET 방사선 방지 전력;

여섯째: 소음 입자의 산란으로 인한 소수 분산의 잘못된 활동이 없기 때문에 소음이 낮기 때문입니다.

MOSFET 작업 원리

MOSFET작업 원리는 한 문장으로, 즉 "드레인-소스는 ID 사이의 채널을 통과하고, 전극과 pn 사이의 채널은 ID를 마스터하기 위해 역방향 바이어스 전극 전압으로 구성됩니다."입니다. 더 정확하게 말하면, 회로 전체의 ID 진폭, 즉 채널 단면적은 pn 접합의 카운터 바이어스 변화에 의해 공핍층의 발생이 확장되어 지배력의 변화가 발생하는 것입니다. VGS=0의 불포화 바다에서는 드레인-소스 사이에 추가된 VDS의 자기장에 따라 소스 바다의 일부 전자가 드레인에 의해 끌려가기 때문에 표시된 전이층의 확장이 그리 크지 않습니다. 즉, 드레인에서 소스로 DC ID 활동이 있습니다. 게이트에서 드레인까지 확장되는 중간층은 채널 전체의 막힘 유형(ID full)을 형성합니다. 이 패턴을 핀치오프라고 합니다. 이는 트랜지션 레이어가 채널 전체를 가리는 것이지 DC가 차단되는 것이 아니라는 것을 상징합니다.

전이층에서는 전자와 정공의 자체 이동이 없기 때문에 실제 형태에서는 일반적인 직류 전류의 절연 특성이 존재하기 어렵습니다. 그러나 드레인-소스 사이의 자기장은 실제로 드리프트 자기장이 전이층을 통해 고속 전자를 끌어당기기 때문에 두 전이층이 왼쪽 아래의 드레인과 게이트 폴에 접촉합니다. 드리프트 자기장의 강도는 단순히 ID 장면의 충만함을 바꾸지 않기 때문입니다. 둘째, VGS는 음의 위치로 변경되어 VGS = VGS(off)가 되며 전이층은 전체 바다를 덮는 모양을 크게 변경합니다. 그리고 VDS의 자기장은 전이층에 크게 추가되며, 전자를 드리프트 위치로 끌어당기는 자기장은 매우 짧은 모든 소스 극에 가깝기 때문에 DC 전력이 더 이상 존재하지 않습니다. 정체할 수 있음.