MOSFET의 4개 영역은 무엇입니까?

 

N채널 강화 MOSFET의 4개 영역

(1) 가변 저항 영역(불포화 영역이라고도 함)

Ucs" Ucs(th)(켜기 전압), uDs" UGs-Ucs(th)는 채널이 켜진 그림에서 사전 클램프된 트레이스의 왼쪽 영역입니다. 이 영역에서는 UD의 값이 작으며 채널 저항은 기본적으로 UG에 의해서만 제어됩니다. uGs가 확실하고 ip와 uDs가 선형 관계에 있을 때 해당 영역은 직선 집합으로 근사화됩니다. 이때 전계 효과관 D, S 사이의 등가 전압 UGS

전압 UGS 가변 저항에 의해 제어됩니다.

(2) 정전류 영역(포화 영역, 증폭 영역, 활성 영역이라고도 함)

Ucs ≥ Ucs (h) 및 Ubs ≥ UcsUssth), 프리 핀치 오프 트랙의 오른쪽 그림에 대해 아직 해당 지역에서 분해되지 않았지만 uG가 있어야 하는 지역에서는 ib가 거의 그렇지 않습니다. UD에 따른 변화는 정전류 특성입니다. i는 UG에 의해서만 제어되며 MOSFETD, S는 전류 소스의 전압 uG 제어와 동일합니다. MOSFET은 증폭 회로에 사용되며 일반적으로 MOSFET D의 작업에 사용되며 S는 전압 uGs 제어 전류 소스와 동일합니다. 증폭 회로에 사용되는 MOSFET은 일반적으로 증폭 영역이라고도 알려진 영역에서 작동합니다.

(3) 클립오프 영역(컷오프 영역이라고도 함)

영역의 수평 축 근처 그림에 대한 ucs "Ues(th)를 충족하기 위한 클립오프 영역(컷오프 영역이라고도 함), 채널이 모두 클램프되어 전체 클립 오프라고 함, io = 0 , 튜브가 작동하지 않습니다.

(4) 고장지역 위치

고장 영역은 그림의 오른쪽 영역에 있습니다. UD가 증가함에 따라 PN 접합은 너무 많은 역전압 및 항복을 받게 되며 IP는 급격히 증가합니다. 튜브는 파손 영역에서 작동하지 않도록 작동해야 합니다. 전달 특성 곡선은 출력 특성 곡선에서 파생될 수 있습니다. 찾기 위해 그래프로 사용되는 방법에 대해 설명합니다. 예를 들어, 그림 3(a)의 Ubs = 6V 수직선에서 i에 해당하는 다양한 곡선과의 교차점, ib-Uss 좌표의 Us 값이 곡선에 연결되어 즉 전달 특성 곡선을 얻습니다.

매개변수MOSFET

DC 매개변수, AC 매개변수 및 제한 매개변수를 포함하여 MOSFET의 많은 매개변수가 있지만 일반적인 사용에서는 다음과 같은 주요 매개변수만 고려해야 합니다. 포화 드레인-소스 전류 IDSS 핀치오프 전압 Up(접합형 튜브 및 공핍화) 유형 절연 게이트 튜브 또는 턴온 전압 UT(강화 절연 게이트 튜브), 트랜스 컨덕턴스 gm, 누설 소스 항복 전압 BUDS, 최대 소산 전력 PDSM 및 최대 드레인 소스 전류 IDSM .

(1) 포화 드레인 전류

포화 드레인 전류 IDSS는 게이트 전압 UGS = 0일 때 접합 또는 공핍형 절연 게이트 MOSFET의 드레인 전류입니다.

(2) 클립오프 전압

핀치오프 전압 UP은 드레인과 소스 사이를 차단하는 접합형 또는 공핍형 절연 게이트 MOSFET의 게이트 전압입니다. N채널 튜브 UGS에 대한 ID 곡선에 대해 4-25에 표시된 것처럼 IDSS와 UP의 중요성을 알 수 있음을 알 수 있습니다.

MOSFET 4개 영역

(3) 턴온 전압

턴온 전압 UT는 드레인 소스 간을 전도성으로 만드는 강화된 절연 게이트 MOSFET의 게이트 전압입니다.

(4) 상호컨덕턴스

트랜스컨덕턴스(gm)는 드레인 전류 ID에 대한 게이트 소스 전압 UGS의 제어 능력, 즉 게이트 소스 전압 UGS의 변화에 ​​대한 드레인 전류 ID의 변화의 비율이다. 9m는 증폭 능력을 평가하는 중요한 매개 변수입니다.MOSFET.

(5) 드레인 소스 항복 전압

드레인 소스 항복 전압 BUDS는 특정 게이트 소스 전압 UGS를 나타내며 MOSFET 정상 작동에서는 최대 드레인 소스 전압을 수용할 수 있습니다. 이는 제한 매개변수로, MOSFET 작동 전압에 추가되는 값은 BUDS보다 낮아야 합니다.

(6) 최대 전력 손실

최대 전력 손실 PDSM도 한계 매개변수이며MOSFET최대 허용 누설 소스 전력 손실 시 성능이 저하되지 않습니다. MOSFET을 사용할 때 실제 전력 소비는 PDSM보다 작아야 하며 일정한 여유를 두어야 합니다.

(7) 최대 드레인 전류

최대 누설 전류 IDSM은 또 다른 제한 매개변수로, MOSFET의 정상 작동을 나타내며, MOSFET의 작동 전류를 통과하도록 허용되는 최대 전류의 누설 소스는 IDSM을 초과해서는 안 됩니다.

MOSFET 작동 원리

MOSFET(N채널 향상 MOSFET)의 작동 원리는 VGS를 사용하여 "유도 전하"의 양을 제어하고 이러한 "유도 전하"에 의해 형성된 전도성 채널의 상태를 변경한 다음 목적을 달성하는 것입니다. 드레인 전류를 제어하는 ​​것입니다. 목적은 드레인 전류를 제어하는 ​​것입니다. 튜브를 제조할 때 절연층에 많은 수의 양이온을 만드는 과정을 통해 계면의 반대쪽에 더 많은 음전하가 유도될 수 있으며 이러한 음전하가 유도될 수 있습니다.

게이트 전압이 변하면 채널에 유도되는 전하의 양도 변하고, 전도성 채널의 폭도 변하므로 게이트 전압에 따라 드레인 전류 ID도 변한다.

MOSFET 역할

I. MOSFET을 증폭에 적용할 수 있다. MOSFET 증폭기의 높은 입력 임피던스로 인해 전해 커패시터를 사용하지 않고도 커플링 커패시터의 용량을 더 작게 할 수 있습니다.

둘째, MOSFET의 높은 입력 임피던스는 임피던스 변환에 매우 적합합니다. 임피던스 변환을 위해 다단계 증폭기 입력단에 일반적으로 사용됩니다.

MOSFET을 가변저항으로 사용할 수 있습니다.

넷째, MOSFET은 정전류원으로 쉽게 사용될 수 있다.

다섯째, MOSFET은 전자 스위치로 사용될 수 있다.