인버터의 MOSFET은 스위칭 상태로 동작하며, MOSFET에 흐르는 전류는 매우 높습니다. MOSFET을 올바르게 선택하지 않거나 구동 전압 진폭이 충분히 크지 않거나 회로 열 방출이 좋지 않으면 MOSFET이 과열될 수 있습니다.
1, 인버터 MOSFET 발열이 심각하므로 주의해야 합니다.MOSFET선택
스위칭 상태의 인버터 MOSFET은 일반적으로 가능한 한 큰 드레인 전류, 가능한 한 작은 온 저항을 요구하므로 MOSFET의 포화 전압 강하를 줄여 소비를 줄이고 MOSFET을 줄일 수 있습니다. 열.
MOSFET 매뉴얼을 확인하면 MOSFET의 내전압 값이 높을수록 온 저항이 커지며, 드레인 전류가 높고 MOSFET의 내전압 값이 낮은 경우 온 저항은 일반적으로 수십 미만인 것을 알 수 있습니다. 밀리옴.
부하 전류가 5A라고 가정하면 일반적으로 사용되는 MOSFETRU75N08R을 선택하고 내전압 값은 500V 840일 수 있으며, 드레인 전류는 5A 이상이지만 두 MOSFET의 온 저항이 다르므로 동일한 전류를 구동합니다. , 그들의 열 차이는 매우 큽니다. 75N08R 온 저항은 0.008Ω에 불과한 반면 840의 온 저항은 75N08R의 온 저항이 0.008Ω에 불과한 반면 840의 온 저항은 0.85Ω입니다. MOSFET에 흐르는 부하 전류가 5A일 때 75N08R의 MOSFET의 전압 강하는 0.04V에 불과하며, MOSFET의 소비 전력은 0.2W에 불과한 반면, 840의 MOSFET의 전압 강하는 최대 4.25W까지 가능하며, 소비 전력도 MOSFET의 최대 전력은 21.25W입니다. 이것으로부터 MOSFET의 온 저항이 75N08R의 온 저항과 다르며 발열도 매우 다르다는 것을 알 수 있습니다. MOSFET의 온 저항이 작을수록 MOSFET의 온 저항이 더 좋아지며, 높은 전류 소비 하에서 MOSFET 튜브는 상당히 큽니다.
2, 구동 전압 진폭의 구동 회로가 충분히 크지 않습니다.
MOSFET은 전압 제어 장치입니다. MOSFET 튜브 소비를 줄이고 열을 줄이려면 MOSFET 게이트 구동 전압 진폭이 충분히 커야 하며 펄스 에지를 가파르게 구동하여 줄일 수 있습니다.MOSFET튜브 전압 강하, MOSFET 튜브 소비 감소.
3, MOSFET 열 방출은 좋지 않습니다.
인버터 MOSFET 발열이 심각합니다. 인버터 MOSFET 튜브 소비량이 크기 때문에 작업에는 일반적으로 방열판의 외부 면적이 충분히 커야 하며 외부 방열판과 방열판 사이의 MOSFET 자체가 밀접하게 접촉되어야 합니다(일반적으로 열 전도성 코팅이 필요함) 실리콘 그리스), 외부 방열판이 더 작거나 MOSFET 자체가 방열판 접촉부에 충분히 가깝지 않은 경우 MOSFET이 가열될 수 있습니다.
인버터 MOSFET 발열이 심각한 이유는 네 가지로 요약됩니다.
MOSFET의 약간의 발열은 정상적인 현상이지만 발열이 심각하고 심지어 MOSFET이 타버릴 수도 있습니다. 다음과 같은 네 가지 이유가 있습니다.
1, 회로 설계의 문제
MOSFET이 스위칭 회로 상태가 아닌 선형 작동 상태에서 작동하도록 하십시오. 이는 MOSFET 발열의 원인 중 하나이기도 합니다. N-MOS가 스위칭을 수행하는 경우 G 레벨 전압은 전원 공급 장치보다 몇 V 더 높아야 완전히 켜지지만 P-MOS는 그 반대입니다. 완전히 열리지 않고 전압 강하가 너무 커서 전력 소비가 발생하고 등가 DC 임피던스가 커지므로 전압 강하가 증가하므로 U*I도 증가하므로 손실은 열을 의미합니다. 이는 회로 설계에서 가장 방지되는 오류입니다.
2, 주파수가 너무 높음
주된 이유는 때로는 과도한 볼륨 추구로 인해 빈도가 증가하고,MOSFET큰 손실이 발생하므로 열도 증가합니다.
3, 열 설계가 충분하지 않습니다.
전류가 너무 높은 경우 MOSFET의 공칭 전류 값을 달성하려면 일반적으로 우수한 열 방출이 필요합니다. 따라서 ID가 최대 전류보다 적고 과열될 수도 있으므로 충분한 보조 방열판이 필요합니다.
4, MOSFET 선택이 잘못되었습니다.
전력 판단이 잘못되면 MOSFET 내부 저항이 충분히 고려되지 않아 스위칭 임피던스가 증가합니다.
게시 시간: 2024년 4월 19일
