MOSFET역할을 하다스위칭 회로에서회로를 켜고 끄고 신호 변환을 제어하는 것입니다.MOSFET 크게 N채널과 P채널로 나눌 수 있습니다.
N채널에서는MOSFET회로, BEEP 핀은 부저 응답을 활성화하기 위해 높으며 부저를 끄려면 로우입니다.P 채널MOSFETGPS 모듈 전원 공급 장치를 켜고 끄는 것을 제어하기 위해 GPS_PWR 핀은 켜져 있을 때 로우이고, GPS 모듈은 일반 전원 공급 장치, GPS 모듈의 전원을 끄려면 높이를 높입니다.
P 채널MOSFETN형 실리콘 기판의 P+ 영역에는 드레인과 소스라는 두 가지가 있습니다. 이 두 극은 서로 전도성이 없습니다. 접지 시 소스에 충분한 양의 전압이 추가되면 게이트 아래의 N형 실리콘 표면이 P형 역층으로 나타나 드레인과 소스를 연결하는 채널로 들어갑니다. . 게이트의 전압을 변경하면 채널의 정공 밀도가 변경되어 채널 저항이 변경됩니다. 이를 P채널 강화 전계 효과 트랜지스터라고 합니다.
특정 값보다 큰 NMOS 특성인 Vgs는 라인에 4V 또는 10V의 게이트 전압이 있는 경우 소스 접지된 로우엔드 드라이브 케이스에 적용 가능합니다.
PMOS의 특성은 NMOS와 달리 Vgs가 특정 값보다 작으면 ON이 되며, 소스를 VCC에 연결하면 하이엔드 드라이브에 사용하기에 적합합니다. 그러나 교체 유형이 적고 온 저항이 높으며 가격이 높기 때문에 고급 드라이브의 경우 PMOS를 매우 편리하게 사용할 수 있으므로 고급 드라이브에서는 일반적으로 여전히 NMOS를 사용합니다.
전반적인,MOSFET높은 입력 임피던스를 갖고 회로의 직접 결합을 촉진하며 대규모 집적 회로로 제작하기가 상대적으로 쉽습니다.
게시 시간: 2024년 7월 20일
