MOSFET은 집적 회로의 절연 MOSFET입니다. MOSFET은 가장 기본적인 장치 중 하나입니다.반도체 분야에서는 IC 설계뿐만 아니라 보드 레벨 회로에도 널리 사용됩니다.MOSFET N형 영역을 갖는 P형 백게이트에 형성된다. 일반적으로 두 소스는 상호 교환 가능하며 둘 다 N형 영역을 형성합니다.P형 백게이트. 일반적으로 이 두 영역은 동일하며, 이 두 영역이 전환되더라도 장치의 성능에는 영향을 미치지 않습니다. 따라서 장치는 대칭인 것으로 간주됩니다.
원칙:
MOSFET은 VGS를 사용하여 "유도 전하"의 양을 제어하고 이러한 "유도 전하"에 의해 형성된 전도성 채널의 상태를 변경하여 드레인 전류를 제어합니다. MOSFET을 제조할 때 특수한 공정을 거쳐 절연층에 많은 양의 양이온이 나타나게 되어 계면 반대편에서 더 많은 음전하를 감지할 수 있게 되고, 고투자율 불순물의 N영역은 다음과 같이 연결된다. 이러한 음전하와 전도성 채널이 형성되며, VGS가 0이더라도 상대적으로 큰 드레인 전류 ID가 발생합니다. 게이트 전압이 변경되면 채널에 유도된 전하의 양도 변경되며, 폭 전도성 채널의 변화도 같은 정도로 변합니다. 게이트 전압이 변하면 채널에 유도된 전하의 양도 변하고 전도 채널의 폭도 변하므로 게이트 전압에 따라 드레인 전류 ID도 변합니다.
역할:
1. 증폭기 회로에 적용 가능합니다. MOSFET 증폭기의 입력 임피던스가 높기 때문에 커플링의 커패시턴스가 더 작아질 수 있으며 전해 커패시터를 사용할 수 없습니다.
임피던스 변환에는 높은 입력 임피던스가 적합합니다. 다단 증폭기의 입력단에서 임피던스 변환에 자주 사용됩니다.
3, 가변 저항기로 사용할 수 있습니다.
4, 전자 스위치로 사용할 수 있습니다.
MOSFET은 이제 텔레비전의 고주파 헤드 및 스위칭 전원 공급 장치를 포함하여 광범위한 응용 분야에 사용됩니다. 최근에는 바이폴라 일반 트랜지스터와 MOS를 복합하여 IGBT(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)를 형성하여 고전력 분야에 널리 사용되고 있으며, MOS 집적회로는 저전력 소모 특성을 갖고 있으며, 현재는 CPU가 산업 분야에 널리 사용되고 있습니다. MOS 회로.
게시 시간: 2024년 7월 19일
