MOSFET의 매개변수 분석 및 측정

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MOSFET의 매개변수 분석 및 측정

주요 매개변수에는 여러 종류가 있습니다.MOSFET여기에는 DC 전류, AC 전류 매개변수 및 제한 매개변수가 포함되어 있지만 일반 애플리케이션에서는 누설 소스 전류의 포화 상태 IDSS 핀치오프 전압 Up, 상호 컨덕턴스 gm, 누설 소스 항복 전압 BUDS 등의 기본 매개변수만 주의하면 됩니다. 더 큰 손실 출력 전력 PDSM 및 더 큰 누설 소스 전류 IDSM.

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1. 포화 누설 소스 전류

포화 드레인-소스 전류 IDSS는 접합형 또는 공핍형 절연층 게이트 MOSFET에서 게이트 전압 UGS=0일 때의 드레인-소스 전류를 의미합니다.

2. 클립오프 전압

핀치오프 전압 UP은 접합형 또는 공핍형 절연층 게이트의 게이트 전압 작동 전압을 의미합니다.MOSFET그러면 배수 소스가 차단됩니다. IDSS와 UP이 실제로 무엇을 의미하는지 알아보세요.

3, 전압을 켜십시오

턴온 전압 UT는 강화된 절연 게이트 MOSFET의 게이트 전압 작동 전압을 의미하므로 드레인-소스 상호 연결이 바로 켜집니다. UT가 실제로 무엇을 의미하는지 알아보세요.

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4.교차 안내

트랜스가이드 gm은 게이트 소스 전압이 드레인 전류를 제어하는 ​​능력, 즉 드레인 전류 변화와 게이트 소스 전압 변화 사이의 비율을 나타내는 데 사용됩니다.

5, 출력 전력의 최대 손실r

최대 손실 출력 전력도 한계 매개변수에 속합니다. 이는 다음의 성능이 발휘될 때 허용될 수 있는 최대 드레인-소스 손실 전력을 의미합니다.MOSFET정상이며 영향을 받지 않습니다. MOSFET을 사용하는 경우 기능 손실은 PDSM보다 낮아야 하며 특정 값이어야 합니다.

6, 최대 누설 소스 전류

최대 드레인-소스 전류 IDSM도 제한 매개변수입니다. 이는 정상 작동 중에 MOSFET의 드레인과 소스 사이에 통과할 수 있는 최대 전류를 의미하며 MOSFET이 작동 중일 때 이를 초과해서는 안 됩니다.

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게시 시간: 2024년 7월 7일