1, 질적 판단MOSFET좋은지 나쁜지
MOSFET 교체 원리 및 양호 여부 판단, 먼저 멀티미터 R × 10kΩ 블록(9V 또는 15V 배터리 내장), 게이트(G)에 연결된 음극 펜(검은색), 게이트(G)에 연결된 양극 펜(빨간색)을 사용합니다. 소스(S). 게이트와 소스 사이를 충전할 때 멀티미터 포인터가 약간 편향됩니다. 다시 멀티미터 R × 1Ω 블록을 사용하여 음극 펜을 드레인(D)에, 양극 펜을 소스(S)에 연결하면 멀티미터에 몇 옴의 값이 표시되어 MOSFET이 양호함을 나타냅니다.
2, 접합 MOSFET 전극의 정성 분석
멀티미터는 R × 100 파일에 연결되고 빨간색 펜은 한쪽 풋 튜브에, 검정색 펜은 다른 풋 튜브에 연결되어 세 번째 발이 정지됩니다. 미터 바늘이 약간 흔들리는 것을 발견하면 세 번째 발이 게이트임을 증명하십시오. 더 분명한 결과를 얻으려면 바늘이 크게 편향된 것을 볼 수 있는 한 손가락에 가깝거나 손가락으로 매달린 발을 만질 수도 있습니다. 즉, 매달린 발이 문에 있음을 나타냅니다. 소스와 드레인을 위해 각각 2피트씩 남겨 둡니다.
차별적인 이유:JFET입력 저항은 100MΩ보다 크고 상호 컨덕턴스는 매우 높습니다. 게이트가 개방 회로일 때 공간 전자기장은 게이트 전압 신호에 의해 쉽게 유도될 수 있으므로 튜브가 차단되거나 전도되는 경향이 있습니다. 입력 간섭 신호로 인해 인체가 게이트 유도 전압에 직접적으로 영향을 미치는 경우 위의 현상이 더욱 분명해집니다. 예를 들어, 왼쪽 편향의 바늘이 매우 크다는 것은 튜브가 잘리는 경향이 있고, 드레인-소스 저항 RDS가 증가하고, 드레인-소스 전류가 IDS를 감소시킨다는 것을 의미합니다. 반대로, 큰 편향의 오른쪽에 있는 바늘은 튜브가 전도되는 경향이 있으며 RDS ↓, IDS ↑입니다. 그러나 미터 바늘이 실제로 어느 방향으로 편향되는지는 유도 전압(정방향 또는 역방향 전압)의 극성과 튜브의 작동점에 따라 결정되어야 합니다.
지침:
테스트 결과 D극과 S극에서 양손을 절연한 상태에서 게이트만 접촉했을 때 일반적으로 미터침이 왼쪽으로 편향되는 것으로 나타났다. 그러나 양손이 각각 D극과 S극에 닿고 손가락이 게이트에 닿으면 미터 바늘이 오른쪽으로 편향되는 것을 볼 수 있습니다. 그 이유는 인체의 여러 부분과 저항이 편향되기 때문입니다.MOSFET포화 영역에 들어갑니다.
크리스탈 삼극관 핀 결정
3극관은 코어(2개의 PN 접합), 3개의 전극, 1개의 튜브 쉘로 구성되며, 3개의 전극을 컬렉터 c, 이미터 e, 베이스 b라고 합니다. 현재 공통 3극관은 실리콘 평면관으로, PNP형과 NPN형의 두 가지 범주로 더 분류됩니다. 게르마늄 합금 튜브는 이제 드물다.
여기에서는 멀티미터를 사용하여 삼극관의 삼극관 피트를 측정하는 간단한 방법을 소개합니다.
1, 베이스 폴을 찾고 튜브 유형(NPN 또는 PNP)을 결정합니다.
PNP 형 삼극관의 경우 C 및 E 극은 내부 두 PN 접합의 양극이고 B 극은 공통 음극이며 NPN 형 삼극관은 반대이며 C 및 E 극은 음극입니다. 두 개의 PN 접합 중 B극이 공통 양극이고 PN 접합의 양극 저항이 작고 역저항이 크다는 특성에 따라 베이스 극 및 튜브 유형을 쉽게 결정합니다. . 구체적인 방법은 다음과 같습니다.
R × 100 또는 R × 1K 기어로 다이얼된 멀티미터를 사용하십시오. 빨간색 펜이 핀을 터치한 다음 검은색 펜을 다른 두 핀에 연결하여 두 세트의 판독값 중 하나가 낮은 저항 값에 있을 때 세 그룹(두 그룹으로 구성된 각 그룹) 판독값을 얻을 수 있습니다. 수백 옴, 공용 핀이 빨간색 펜인 경우 접점은 PNP 유형의 트랜지스터 유형인 베이스입니다. 공용 핀이 검정색 펜인 경우 접점은 NPN 유형의 트랜지스터 유형인 베이스입니다.
2, 이미 터와 컬렉터를 식별합니다.
삼극관 생산에서는 도핑 농도 내 두 개의 P 영역 또는 두 개의 N 영역이 다르기 때문에 올바른 증폭기인 경우 삼극관은 강한 증폭을 가지며 그 반대의 경우 잘못된 증폭기를 사용하면 많은 수의 매우 약한 증폭기 증폭이 됩니다. , 따라서 올바른 증폭기가 있는 3극관, 잘못된 증폭기가 있는 3극관은 큰 차이가 있을 것입니다.
튜브 종류와 베이스 b를 식별한 후, 컬렉터와 이미터를 다음과 같은 방법으로 식별할 수 있습니다. R x 1K를 눌러 멀티미터에 전화를 겁니다. 베이스와 다른 핀을 양손으로 집습니다(전극이 직접 닿지 않도록 주의). 측정 현상을 명확하게 하려면 손가락을 적시고 빨간색 펜을 베이스로 집고 검은색 펜을 다른 핀으로 집은 다음 멀티미터 포인터의 오른쪽 스윙 크기에 주의하세요. 다음으로 두 핀을 조정하고 위의 측정 단계를 반복합니다. 두 측정에서 바늘 스윙의 진폭을 비교하고 스윙이 더 큰 부분을 찾으십시오. PNP형 트랜지스터의 경우 검은색 펜을 핀과 베이스 핀치에 연결하고 위의 실험을 반복하여 바늘 스윙 진폭이 더 큰 위치를 알아냅니다. NPN형의 경우 검은색 펜이 베이스에 연결되고 빨간색 펜이 이미터에 연결되어 있습니다. PNP형은 빨간색 펜이 컬렉터에, 검정색 펜이 이미터에 연결됩니다.
이 식별 방법의 원리는 멀티미터에 배터리를 사용하고 트랜지스터의 컬렉터와 이미터에 전압을 추가하여 증폭하는 기능을 갖는 것입니다. 손으로 집는 베이스, 컬렉터는 손을 통해 3극관에 대한 저항과 양의 바이어스 전류를 더한 것과 동일하므로 전도됩니다. 이때 오른쪽으로 흔들리는 미터 바늘의 크기는 증폭 능력을 반영하므로 올바르게 할 수 있습니다. 이미 터, 컬렉터의 위치를 결정하십시오.
게시 시간: 2024년 4월 21일
