p형 기판과 높은 농도 값을 갖는 두 개의 n 확산 영역으로 구성된 MOSFET을 n채널이라고 합니다.MOSFET, n형 전도성 채널에 의해 발생하는 전도성 채널은 튜브가 전도될 때 농도 값이 높은 두 개의 n-확산 경로 중 n-확산 경로에 의해 발생합니다. n채널 Thickened MOSFET은 게이트에서 양의 방향 바이어스를 최대한 높인 경우와 게이트 소스 작동에 임계 전압을 초과하는 작동 전압이 필요한 경우에만 전도성 채널로 인해 n채널이 발생합니다. n채널 공핍형 MOSFET은 게이트 전압을 받을 준비가 되어 있지 않은 MOSFET입니다(게이트 소스 작동에는 0의 작동 전압이 필요함). n채널 광공핍 MOSFET은 게이트 전압(게이트 소스 동작 요구 동작 전압이 0)이 준비되지 않은 경우 전도성 채널이 발생하는 n채널 MOSFET입니다.
NMOSFET 집적 회로는 N 채널 MOSFET 전원 공급 장치 회로, NMOSFET 집적 회로, 입력 저항이 매우 높으며 대부분은 전력 흐름 흡수를 소화할 필요가 없으므로 CMOSFET 및 NMOSFET 집적 회로는 전력 흐름의 부하를 고려하십시오. NMOSFET 집적 회로, 단일 그룹 포지티브 스위칭 전원 공급 장치 회로 전원 공급 장치 선택의 대부분은 단일 포지티브 스위칭 전원 공급 장치 회로 전원 공급 장치 회로를 사용합니다. 9V 이상. CMOSFET 집적 회로는 NMOSFET 집적 회로와 동일한 스위칭 전원 공급 회로 전원 공급 회로만 사용해야 하며 즉시 NMOSFET 집적 회로와 연결할 수 있습니다. 그러나 NMOSFET에서 CMOSFET로 즉시 연결되면 NMOSFET 출력 풀업 저항이 CMOSFET 집적 회로 키 풀업 저항보다 작으므로 전위차 풀업 저항 R을 적용해 보십시오. 저항 R의 값은 다음과 같습니다. 일반적으로 2~100KΩ입니다.
N채널 두꺼운 MOSFET의 구성
도핑 농도 값이 낮은 P형 실리콘 기판 위에 도핑 농도 값이 높은 N 영역을 2개 만들고, 알루미늄 금속에서 2개의 전극을 인출해 각각 드레인(d)과 소스(s) 역할을 한다.
그런 다음 반도체 부품 표면에 매우 얇은 실리카 절연 튜브 층을 마스킹하고, 드레인-소스 절연 튜브에서 또 다른 알루미늄 전극의 드레인과 소스 사이를 게이트 g로 합니다.
기판에는 N채널 두꺼운 MOSFET으로 구성된 전극 B도 나와 있습니다. MOSFET 소스와 기판은 일반적으로 함께 연결되며 공장의 파이프 대부분은 오랫동안 여기에 연결되어 왔으며 게이트와 기타 전극은 케이싱 사이에 절연되어 있습니다.
게시 시간: 2024년 5월 26일
