MOSFET 전도성이란 스위치로 사용한다는 의미로 스위치가 닫히는 것과 동일합니다. NMOS는 Vgs가 제한된 값을 초과할 때 전도성이 있다는 특징이 있는데, 이는 소스가 접지된 장치에 연결된 조건에 적용되며 게이트만 필요합니다. 전압은 4V 또는 10V입니다.피모스는 Vgs가 특정 값 이하로 떨어질 때 동작하며 소스가 Vcc에 연결된 상황에 적합합니다. 그러나 PMOS는 고급 드라이버로 편리할 수 있지만, NMOS는 온 저항이 크고 가격과 비용이 높으며 교체 유형이 적기 때문에 일반적으로 고급 드라이버에 사용됩니다.
그것이든엔모스또는 PMOS의 경우 온 저항 다음에 온 저항이 있으므로 저항의 전류가 일정량의 전력을 소비하는데, 이러한 소비를 온 저항 손실이라고 합니다. 이 시점에서 우리는 오늘날의 저전력인 온 저항 손실을 줄일 수 있는 소형 MOSFET의 온 저항을 선택했습니다.MOSFET온 저항은 일반적으로 수십 밀리옴이거나 온의 경우 MOS의 출현 및 상황 완료 시점의 몇 밀리옴이 순간적으로 발생하지 않습니다.
MOS 양측의 전압은 감소하는 과정을 가지며, 이 과정을 통해 흐르는 전류는 증가하며, 이 기간 동안 전압과 전류는 MOSFET의 손실 크기만큼 곱해진다. 일반적인 스위칭 손실은 전도 손실보다 훨씬 크며, 스위칭 주파수가 높을수록 손실도 커집니다. 도통 순간의 전압과 전류의 곱이 클수록 손실도 커집니다. 스위칭 시간을 줄일 수 있다면 각 전도에서의 손실을 줄일 수 있고, 스위칭 주파수를 줄일 수 있으며, 특정 시간 내에 스위칭 주파수를 줄여 스위칭 손실을 줄일 수도 있습니다.
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게시 시간: 2024년 7월 10일
