MOSFET 감지 흐름 MOSFET은 반도체 분야의 가장 기본적인 소자 중 하나로 다양한 제품 설계 및 보드 레벨 회로에 널리 사용됩니다. 특히 고출력 반도체 분야에서는 다양한 구조의 MOSFET이 대체할 수 없는 역할을 담당하고 있다. 물론 활용도가 높다.MOSFET 몇 가지 사소한 문제가 발생했습니다. MOSFET 누출 문제 중 하나는 장소마다 해결 방법이 다르기 때문에 참조할 수 있도록 몇 가지 효과적인 문제 해결 방법을 정리했습니다.
MOSFET에 대한 감지 방법은 다음과 같습니다.MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Als er een weerstandswaarde, maar niet geDetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, die het belangrijkste onderzoek kunnen we verwijzen naar het volgende proces uit te voeren:
1, de link Gate en de bron van de weerstand verwijderd, de multimeter rideen en zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkage weerstand na demeter bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, dan is deMOSFET 누수; zal niet veranderen은 심각한 문제입니다.
2, MOSFET 게이트와 브론 폴렌이 서로 다른 상태로 전송되는 경우, 디지털 멀티미터가 중앙에 있는 경우에도 MOSFET이 문제가 됩니다.
3, MOSFET S에 대한 로드 펜, MOSFET에 대한 흑색 펜, 더 많은 전류를 표시하는 미터 스틱 마커;
4, 100KΩ-200KΩ의 전압이 100KΩ-200KΩ에 달하고, 게이트와 드레인에 전압이 가해지면 MOSFET S에 전압이 가해지며, 드레인에 전압이 가해지면 MOSFET 표시가 종료됩니다. het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positieve elektriciteit op based van deze weerstand aan de MOSFET 게이트 배터리 작동, 와트 결과는 게이트 전자 분야, 마찬가지로 gevolg van elektrisch veld 결과는 geleidingsvermogen sectie veroorzaakt door derain en bron pool에서 종료됩니다. 통과, 디지털 멀티미터 미터 풀 바이어스, 바이어스 hoe groter de gezichtshoek, hoe hoger het laden en ontladen kenmerken.
게시 시간: 2024년 5월 25일
