MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)에는 다음과 같은 세 개의 극이 있습니다.
문:MOSFET의 게이트 G는 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 동일하며 MOSFET의 전도 및 차단을 제어하는 데 사용됩니다. MOSFET에서 게이트 전압(Vgs)은 소스와 드레인 사이에 전도성 채널이 형성되는지 여부와 전도성 채널의 폭 및 전도성을 결정합니다. 게이트는 금속, 폴리실리콘 등의 재료로 만들어지며, 전류가 게이트로 직접 들어오거나 나가는 것을 방지하기 위해 절연층(보통 이산화규소)으로 둘러싸여 있습니다.
원천:MOSFET의 소스인 S는 바이폴라 트랜지스터의 이미터와 동일하며 전류가 흐르는 곳입니다. N채널 MOSFET에서 소스는 일반적으로 전원 공급 장치의 음극 단자(또는 접지)에 연결되는 반면, P채널 MOSFET에서는 소스가 전원 공급 장치의 양극 단자에 연결됩니다. 소스는 게이트 전압이 충분히 높을 때 전자(N-채널) 또는 정공(P-채널)을 드레인으로 보내는 전도성 채널을 형성하는 핵심 부품 중 하나입니다.
물을 빼다:D, MOSFET의 드레인은 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터와 동일하며 전류가 흐르는 곳입니다. 드레인은 일반적으로 부하에 연결되어 회로에서 전류 출력 역할을 합니다. MOSFET에서 드레인은 전도성 채널의 다른 쪽 끝이며, 게이트 전압이 소스와 드레인 사이의 전도성 채널 형성을 제어하면 전류가 소스에서 전도성 채널을 통해 드레인으로 흐를 수 있습니다.
간단히 말해서, MOSFET의 게이트는 ON과 OFF를 제어하는 데 사용되며, 전류가 나가는 곳은 소스, 전류가 흐르는 곳은 드레인입니다. 이 세 극이 함께 MOSFET의 작동 상태와 성능을 결정합니다. .
게시 시간: 2024년 9월 26일
