I. MOSFET의 정의
전압 구동형 고전류 장치로서, MOSFET 회로, 특히 전력 시스템에 많은 응용 분야가 있습니다. 기생 다이오드라고도 알려진 MOSFET 바디 다이오드는 집적 회로의 리소그래피에서는 발견되지 않지만 별도의 MOSFET 장치에서는 발견됩니다. 이 장치는 고전류에 의해 구동되고 유도성 부하가 존재할 때 역방향 보호 및 전류 지속을 제공합니다.
이 다이오드의 존재로 인해 MOSFET 장치는 충전이 완료되고 전원이 제거되고 배터리가 바깥쪽으로 반전되는 충전 회로와 같이 회로에서 단순히 스위칭하는 것으로 볼 수 없으며 이는 일반적으로 원하지 않는 결과입니다.
일반적인 해결책은 전원 역류를 방지하기 위해 후면에 다이오드를 추가하는 것이지만, 다이오드의 특성상 순방향 전압 강하가 0.6~1V가 필요하므로 대전류에서 심각한 발열이 발생하고 낭비가 발생한다. 에너지 효율을 저하시키고 전반적인 에너지 효율을 감소시킵니다. 또 다른 방법은 에너지 효율을 달성하기 위해 MOSFET의 낮은 온 저항을 활용하여 백투백 MOSFET을 추가하는 것입니다.
전도 후 MOSFET은 방향성이 없으므로 가압 전도 후에는 와이어와 동일하며 저항성만 있고 온 상태 전압 강하가 없으며 일반적으로 몇 밀리옴에 대한 포화 온 저항이 있습니다.시기적절한 밀리옴, 무방향성이므로 DC 및 AC 전원이 통과할 수 있습니다.
II. MOSFET의 특성
1, MOSFET은 전압 제어 장치이므로 높은 전류를 구동하기 위해 추진 단계가 필요하지 않습니다.
2, 높은 입력 저항;
3, 넓은 작동 주파수 범위, 높은 스위칭 속도, 낮은 손실
4, AC 편안한 높은 임피던스, 저잡음.
5、다중 병렬 사용, 출력 전류 증가
둘째, 예방 조치 과정에서 MOSFET의 사용
1, MOSFET의 안전한 사용을 보장하려면 라인 설계에서 파이프라인 전력 손실, 최대 누설 소스 전압, 게이트 소스 전압 및 전류 및 기타 매개변수 제한 값을 초과해서는 안 됩니다.
2, 다양한 유형의 MOSFET을 사용하고 있어야 합니다.엄격히 참여하다 MOSFET 오프셋의 극성을 준수하기 위해 회로에 필요한 바이어스 액세스에 따라.
3. MOSFET을 설치할 때 발열체에 가까이 두지 않도록 설치 위치에 주의하십시오. 피팅의 진동을 방지하려면 쉘을 조여야 합니다. 핀 리드를 구부리는 작업은 핀이 휘어져 누출되는 것을 방지하기 위해 루트 크기인 5mm보다 크게 수행해야 합니다.
그림 4에 따르면 매우 높은 입력 임피던스로 인해 MOSFET은 운송 및 보관 중에 핀에서 단락되어야 하며, 게이트의 외부 유도 전위 파괴를 방지하기 위해 금속 차폐로 포장되어야 합니다.
5. 접합 MOSFET의 게이트 전압은 역전될 수 없고 개방 회로 상태로 저장될 수 있지만, 절연 게이트 MOSFET은 사용하지 않을 때 입력 저항이 매우 높기 때문에 각 전극을 단락시켜야 합니다. 절연 게이트 MOSFET을 납땜할 때는 소스-드레인-게이트 순서에 따라 전원을 끈 상태에서 납땜하십시오.
MOSFET의 안전한 사용을 위해서는 MOSFET의 특성과 공정 사용 시 주의사항을 충분히 이해해야 합니다. 위의 요약이 도움이 되기를 바랍니다.
게시 시간: 2024년 5월 15일
