두 가지 주요 원인of MOSFET 실패:
전압 오류: 즉, 드레인과 소스 사이의 BVdss 전압이 정격 전압을 초과합니다.MOSFET 및 도달 특정 용량으로 인해 MOSFET이 고장납니다.
게이트 전압 오류: 게이트에 비정상적인 전압 스파이크가 발생하여 게이트 산소층 오류가 발생합니다.
붕괴사고(전압고장)
눈사태 피해란 정확히 무엇입니까? 간단히 말해서,MOSFET 버스 전압, 트랜스포머 반사 전압, 누설 스파이크 전압 등이 MOSFET과 중첩되어 발생하는 고장 모드입니다. 즉, MOSFET의 드레인-소스 극의 전압이 지정된 전압 값을 초과하고 특정 에너지 한계에 도달할 때 발생하는 일반적인 오류입니다.
눈사태 피해를 방지하기 위한 조치:
- 복용량을 적절하게 줄이세요. 이 업계에서는 일반적으로 80~95% 정도 감소합니다. 회사의 보증 조건과 라인 우선순위에 따라 선택하세요.
-반사전압이 적당합니다.
-RCD, TVS 흡수회로 설계가 합리적이다.
- 기생 인덕턴스를 최소화하려면 고전류 배선을 최대한 크게 해야 합니다.
- 적절한 게이트 저항 Rg를 선택하십시오.
- 필요에 따라 고전력 공급 장치를 위해 RC 댐핑 또는 제너 다이오드 흡수를 추가합니다.
게이트 전압 오류
비정상적으로 높은 그리드 전압의 세 가지 주요 원인은 다음과 같습니다. 생산, 운송 및 조립 중 정전기; 전력 시스템 작동 중 장비 및 회로의 기생 매개변수로 인해 발생하는 고전압 공진; 고전압 충격 중에 Ggd를 통해 그리드로 고전압을 전송합니다(낙뢰 테스트 중에 더 흔히 발생하는 결함).
게이트 전압 오류를 방지하기 위한 조치:
게이트와 소스 사이의 과전압 보호: 게이트와 소스 사이의 임피던스가 너무 높으면 게이트와 소스 사이의 급격한 전압 변화가 전극 사이의 정전 용량을 통해 게이트에 결합되어 매우 높은 UGS 전압 과잉 조절이 발생합니다. 게이트의 과도한 규제로 이어집니다. 영구적인 산화 손상. UGS가 양의 과도 전압에 있는 경우 장치에서 오류가 발생할 수도 있습니다. 이를 바탕으로 게이트 드라이브 회로의 임피던스를 적절하게 줄여야 하며 게이트와 소스 사이에 댐핑 저항 또는 20V 안정화 전압을 연결해야 합니다. 문이 열려 작동하지 않도록 특별한 주의를 기울여야 합니다.
방전관 사이의 과전압 보호: 회로에 인덕터가 있는 경우 장치가 꺼질 때 누설 전류(di/dt)의 급격한 변화로 인해 공급 전압보다 훨씬 높은 누설 전압 오버슈트가 발생하여 장치가 손상될 수 있습니다. 보호에는 제너 클램프, RC 클램프 또는 RC 억제 회로가 포함되어야 합니다.
게시 시간: 2024년 7월 17일
