MOSFET의 주요 매개변수 및 삼극관과의 비교

전계 효과 트랜지스터는 다음과 같이 약칭됩니다.MOSFET.접합 전계 효과 튜브와 금속 산화물 반도체 전계 효과 튜브의 두 가지 주요 유형이 있습니다. MOSFET은 전도도와 관련된 대부분의 캐리어를 갖는 단극 트랜지스터라고도 알려져 있습니다. 이는 전압 제어 반도체 장치입니다. 높은 입력 저항, 낮은 잡음, 낮은 전력 소비 및 기타 특성으로 인해 바이폴라 트랜지스터 및 전력 트랜지스터에 대한 강력한 경쟁자가 됩니다.

I. MOSFET의 주요 매개변수

1, DC 매개변수

포화 드레인 전류는 게이트와 소스 사이의 전압이 0이고 드레인과 소스 사이의 전압이 핀치오프 전압보다 클 때의 드레인 전류로 정의할 수 있습니다.

핀치오프 전압 UP: UDS가 확실할 때 ID를 작은 전류로 줄이는 데 필요한 UGS입니다.

턴온 전압 UT: UDS가 확실할 때 ID를 특정 값으로 가져오는 데 UGS가 필요합니다.

2, AC 매개변수

저주파 상호컨덕턴스 gm : 게이트 및 소스 전압이 드레인 전류에 미치는 제어 효과를 설명합니다.

극간 용량: MOSFET의 3개 전극 사이의 용량으로, 값이 작을수록 성능이 좋습니다.

3、제한 매개변수

드레인, 소스 항복 전압: 드레인 전류가 급격하게 상승하면 UDS 시 눈사태 항복이 발생합니다.

게이트 항복 전압: 접합 전계 효과 튜브 정상 작동, 역방향 바이어스 상태에서 PN 접합 사이의 게이트와 소스, 전류가 너무 커서 항복을 생성할 수 없습니다.

II. 특징MOSFET

MOSFET에는 증폭 기능이 있어 증폭 회로를 구성할 수 있습니다. 삼극관과 비교하면 다음과 같은 특징이 있습니다.

(1) MOSFET은 전압 제어 장치이며 전위는 UGS에 의해 제어됩니다.

(2) MOSFET 입력 전류는 매우 작으므로 입력 저항이 매우 높습니다.

(3) 전도성을 위해 다수 캐리어를 사용하므로 온도 안정성이 좋습니다.

(4) 증폭 회로의 전압 증폭 계수는 삼극관의 전압 증폭 계수보다 작습니다.

(5) 방사선에 대한 저항력이 더 강합니다.

제삼,MOSFET 및 트랜지스터 비교

(1) MOSFET 소스, 게이트, 드레인 및 삼극관 소스, 베이스, 설정점 극은 유사한 역할에 해당합니다.

(2) MOSFET은 전압 제어 전류 장치이며 증폭 계수가 작고 증폭 능력이 좋지 않습니다. 삼극관은 전류 제어 전압 장치이므로 증폭 능력이 강합니다.

(3) MOSFET 게이트는 기본적으로 전류를 사용하지 않습니다. 삼극관 작업을 수행하면 베이스가 특정 전류를 흡수합니다. 따라서 MOSFET 게이트 입력 저항은 3극관 입력 저항보다 높습니다.

(4) MOSFET의 전도성 프로세스에는 폴리트론이 참여하고 3극관에는 폴리트론과 올리고트론의 두 가지 캐리어가 참여하며 올리고트론의 농도는 온도, 방사선 및 기타 요인에 의해 크게 영향을 받습니다. 따라서 MOSFET 트랜지스터보다 온도 안정성과 방사선 저항이 더 좋습니다. MOSFET은 환경 조건이 많이 변할 때 선택해야 합니다.

(5) MOSFET을 소스 메탈과 기판에 연결하면 소스와 드레인이 바뀌어 특성이 크게 변하지 않는 반면, 트랜지스터의 컬렉터와 이미터를 바꾸면 특성이 달라지며 β값이 변한다. 감소됩니다.

(6) MOSFET의 잡음지수는 작다.

(7) MOSFET과 3극관은 다양한 증폭회로와 스위칭 회로로 구성될 수 있으나 전자는 소비전력이 적고 열적 안정성이 높으며 공급전압 범위가 넓어 대규모, 초대형에 널리 사용된다. 집적 회로를 확장합니다.

(8) 3극관의 온저항은 크고, MOSFET의 온저항은 작기 때문에 효율이 높은 스위치로 MOSFET이 일반적으로 사용됩니다.