MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)은 종종 완전히 제어되는 장치로 간주됩니다. 이는 MOSFET의 동작 상태(켜짐 또는 꺼짐)가 전적으로 게이트 전압(Vgs)에 의해 제어되고, 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 경우처럼 베이스 전류에 의존하지 않기 때문입니다.
MOSFET에서 게이트 전압 Vgs는 소스와 드레인 사이에 전도성 채널이 형성되는지 여부와 전도성 채널의 폭 및 전도성을 결정합니다. Vgs가 임계 전압 Vt를 초과하면 전도 채널이 형성되고 MOSFET이 온 상태로 들어갑니다. Vgs가 Vt 아래로 떨어지면 전도 채널이 사라지고 MOSFET은 차단 상태가 됩니다. 게이트 전압은 다른 전류나 전압 매개변수에 의존하지 않고 MOSFET의 작동 상태를 독립적이고 정밀하게 제어할 수 있기 때문에 이 제어는 완벽하게 제어됩니다.
대조적으로, 절반 제어 장치(예: 사이리스터)의 작동 상태는 제어 전압이나 전류뿐만 아니라 다른 요인(예: 양극 전압, 전류 등)의 영향을 받습니다. 결과적으로 완전히 제어되는 장치(예: MOSFET)는 일반적으로 제어 정확성과 유연성 측면에서 더 나은 성능을 제공합니다.
요약하면, MOSFET은 동작 상태가 게이트 전압에 의해 완전히 제어되는 완전 제어 장치이며, 높은 정밀도, 높은 유연성 및 낮은 전력 소비라는 장점을 가지고 있습니다.
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