nMOSFET 및 pMOSFET를 결정하는 방법

I. 전류 흐름 방향에 따라

NMOSFET：소스(S)에서 드레인(D)으로 전류가 흐르면 MOSFET은 NMOSFET이다. NMOSFET에서는 소스와 드레인이 n형 반도체이고, 게이트가 p형 반도체이다. 게이트 전압이 소스에 대해 양(+)이면 반도체 표면에 n형 전도성 채널이 형성되어 전자가 소스에서 드레인으로 흐를 수 있습니다.

PMOSFET：MOSFET은 드레인(D)에서 소스(S)로 전류가 흐를 때 PMOSFET이다. PMOSFET에서는 소스와 드레인이 모두 p형 반도체이고, 게이트가 n형 반도체이다. 게이트 전압이 소스에 대해 음수이면 반도체 표면에 p형 전도성 채널이 형성되어 정공이 소스에서 드레인으로 흐를 수 있습니다. D에서 S로 이동하지만 실제로는 구멍이 이동하는 방향입니다.

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II. 기생 다이오드 방향에 따라

NMOSFET：기생 다이오드가 소스(S)에서 드레인(D)을 가리키면 NMOSFET입니다. 기생 다이오드는 MOSFET 내부의 고유 구조이며 그 방향은 MOSFET 유형을 결정하는 데 도움이 될 수 있습니다.

PMOSFET：기생 다이오드는 드레인(D)에서 소스(S)를 가리킬 때 PMOSFET입니다.

III. 제어 전극 전압과 전기 전도도의 관계에 따라

NMOSFET：NMOSFET는 게이트 전압이 소스 전압에 대해 양의 값일 때 전도됩니다. 이는 양의 게이트 전압이 반도체 표면에 n형 전도성 채널을 생성하여 전자가 흐르게 하기 때문입니다.

PMOSFET：PMOSFET는 게이트 전압이 소스 전압에 비해 음일 때 전도됩니다. 음의 게이트 전압은 반도체 표면에 p형 전도성 채널을 생성하여 정공이 흐르도록(또는 전류가 D에서 S로 흐르도록) 합니다.

IV. 기타 보조적인 판단 방법

장치 표시 보기:일부 MOSFET에는 해당 유형을 식별하는 표시나 모델 번호가 있을 수 있으며, 관련 데이터시트를 참조하여 NMOSFET인지 PMOSFET인지 확인할 수 있습니다.

테스트 장비 사용:멀티미터와 같은 테스트 장비를 통해 MOSFET의 핀 저항이나 다양한 전압에서의 전도를 측정하는 것도 해당 유형을 결정하는 데 도움이 될 수 있습니다.

정리하면, NMOSFET과 PMOSFET의 판단은 주로 전류 흐름 방향, 기생 다이오드 방향, 제어 전극 전압과 전도도의 관계, 디바이스 마킹 확인, 테스트 장비 사용 등을 통해 이루어질 수 있다. 실제 적용에서는 특정 상황에 따라 적절한 판단 방법을 선택할 수 있습니다.