MOSFET의 비효율적 원인 분석

MOSFET의 비효율적 원인 분석

게시 시간: 2024년 7월 8일

업계 적용의 이 단계에서는 1위의 가전제품 장치 어댑터 제품을 적용합니다. 2위는 컴퓨터 마더보드, 컴퓨터 어댑터, LCD 모니터 및 기타 상품입니다. 3위는 통신 네트워크, 산업 제어 시스템, 자동차 전자 제품 및 기타 전기 장비 산업입니다. MOSFET에 대한 수요에 대한 이들 제품도 매우 크며, 특히 오늘날의 MOSFET에 대한 수요에 대한 자동차 전자 제품은 소비자 전자 제품에 대한 수요를 따라잡는 것으로 나타났습니다.
위의 예를 통해 국내 MOSFET에 대한 수요가 지속적으로 확대되기 시작했음을 알 수 있지만,MOSFETMOSFET이 효과적이지 않은 이유를 모두가 이해하고 있습니까? 다음으로 MOSFET이 고장나는 6가지 이유를 소개하겠습니다.

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1, 전압 오류는 종종 BVdss 전압 소스 사이의 누출이 MOSFET의 정격 전압을 초과하고 특정 능력을 넘어서 MOSFET 오류로 이어질 수 있다고 말합니다.

2, MOSFET 안전 작동 범위를 초과하는 전류 오류 및 Id로 구분되는 유효하지 않은 오류는 장치 사양을 초과하고 Id로 인한 오류가 너무 크고 마모가 심해 장기간 열 축적이 발생합니다. 장치와 실패.

3, 브리지에서 LLC 및 기타 바디 다이오드가 현재 토폴로지를 수행하는 데 효과적입니다. 바디 다이오드가 파괴되어 유효하지 않기 때문입니다.

그림 4를 참조하면, 병렬 적용 과정에서 회로 기생 매개변수가 있는 게이트가 변동을 일으키면 공진 장애가 발생합니다.

5, 건조한 환경에서는 인체와 장비 및 장치에서 생성된 정전기로 인해 정전기가 발생하지 않기 때문입니다.

6. 게이트의 비정상적인 작동 전압 피크로 인해 게이트 전압이 유효하지 않습니다.

위의 내용은MOSFET실패의 원인을 분석하고 이에 상응하는 처리 작업을 수행합니다. 기타 문제에 대해서는 온라인으로 Guanhua Weiye 회사에 문의해 주시면 효과적인 답변과 품질 서비스 태도를 제공해 드릴 수 있습니다.
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