WST2078 N&P 채널 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

제품

WST2078 N&P 채널 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

간단한 설명:


  • 모델 번호:WST2078
  • BVDSS:20V/-20V
  • 르드손:45mΩ/65mΩ
  • ID:3.8A/-4.5A
  • 채널:N&P 채널
  • 패키지:SOT-23-6L
  • 제품 여름:WST2078 MOSFET의 전압 정격은 20V 및 -20V입니다. 3.8A 및 -4.5A의 전류를 처리할 수 있으며 저항 값은 45mΩ 및 65mΩ입니다. MOSFET은 N&P 채널 기능을 모두 갖추고 있으며 SOT-23-6L 패키지로 제공됩니다.
  • 신청:전자 담배, 컨트롤러, 디지털 제품, 가전제품, 가전제품.
  • 제품 세부정보

    애플리케이션

    제품 태그

    일반 설명

    WST2078은 소형 전원 스위치 및 부하 애플리케이션을 위한 최고의 MOSFET입니다. 이는 우수한 RDSON 및 게이트 전하를 제공하는 높은 셀 밀도를 가지고 있습니다. RoHS 및 친환경 제품 요구 사항을 충족하며 전체 기능 신뢰성이 승인되었습니다.

    특징

    높은 셀 밀도 트렌치, 극도로 낮은 게이트 전하, 탁월한 Cdv/dt 효과 감소를 갖춘 첨단 기술입니다. 이 장치는 환경 친화적이기도 합니다.

    응용

    고주파 POL(Point-of-Load) 동기식 소형 전력 스위칭은 MB/NB/UMPC/VGA, 네트워킹 DC-DC 전원 시스템, 로드 스위치, 전자 담배, 컨트롤러, 디지털 제품, 소형 가전 제품 및 소비자에 사용하기에 적합합니다. 전자 제품.

    해당 자재번호

    AOS AO6604 AO6608, VISHAY Si3585CDV, PANJIT PJS6601.

    중요한 매개변수

    상징 매개변수 평가 단위
    N채널 P채널
    VDS 드레인 소스 전압 20 -20 V
    VGS 게이트 소스 전압 ±12 ±12 V
    ID@Tc=25℃ 연속 드레인 전류, VGS @ 4.5V1 3.8 -4.5 A
    ID@Tc=70℃ 연속 드레인 전류, VGS @ 4.5V1 2.8 -2.6 A
    IDM 펄스 드레인 전류2 20 -13 A
    PD@TA=25℃ 총 전력 소모3 1.4 1.4 W
    TSTG 보관 온도 범위 -55~150 -55~150
    TJ 작동 접합 온도 범위 -55~150 -55~150
    상징 매개변수 정황 최소 유형 최대. 단위
    BVDSS 드레인 소스 항복 전압 VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/ △TJ BVDSS 온도 계수 25℃ 기준, ID=1mA --- 0.024 --- V/℃
    RDS(켜짐) 정적 드레인 소스 온 저항2 VGS=4.5V, ID=3A --- 45 55
    VGS=2.5V, ID=1A --- 60 80
    VGS=1.8V, ID=1A --- 85 120
    VGS(일) 게이트 임계값 전압 VGS=VDS, ID =250uA 0.5 0.7 1 V
    △VGS(일) VGS(일) 온도 계수 --- -2.51 --- mV/℃
    IDSS 드레인 소스 누설 전류 VDS=16V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=16V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- 5
    IGS 게이트 소스 누설 전류 VGS=±8V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs 순방향 상호컨덕턴스 VDS=5V, ID=1A --- 8 --- S
    Rg 게이트 저항 VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 2.5 3.5 Ω
    Qg 총 게이트 충전(4.5V) VDS=10V , VGS=10V , ID=3A --- 7.8 --- nC
    Qgs 게이트 소스 요금 --- 1.5 ---
    Qgd 게이트-드레인 충전 --- 2.1 ---
    Td(켜짐) 켜기 지연 시간 VDD=10V , VGEN=4.5V , RG=6Ω

    ID=3A RL=10Ω

    --- 2.4 4.3 ns
    Tr 상승 시간 --- 13 23
    Td(꺼짐) 꺼짐 지연 시간 --- 15 28
    Tf 가을 시간 --- 3 5.5
    시스 입력 커패시턴스 VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz --- 450 --- pF
    코스 출력 커패시턴스 --- 51 ---
    Crss 역방향 전송 용량 --- 52 ---

  • 이전의:
  • 다음:

  • 여기에 메시지를 작성하여 보내주세요.