WST2011 듀얼 P 채널 -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

제품

WST2011 듀얼 P 채널 -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

간단한 설명:


  • 모델 번호:WST2011
  • BVDSS:-20V
  • 르드손:80mΩ
  • ID:-3.2A
  • 채널:듀얼 P 채널
  • 패키지:SOT-23-6L
  • 제품 여름:WST2011 MOSFET의 전압은 -20V, 전류는 -3.2A, 저항은 80mΩ, 채널은 듀얼 P-채널, 패키지는 SOT-23-6L입니다.
  • 신청:전자 담배, 컨트롤, 디지털 제품, 소형 가전 제품, 홈 엔터테인먼트.
  • 제품 상세 정보

    애플리케이션

    제품 태그

    일반적인 설명

    WST2011 MOSFET은 비교할 수 없는 셀 밀도를 특징으로 하는 가장 진보된 P-채널 트랜지스터입니다.이 제품은 낮은 RDSON 및 게이트 전하로 탁월한 성능을 제공하므로 소규모 전력 스위칭 및 부하 스위치 애플리케이션에 이상적입니다.또한 WST2011은 RoHS 및 친환경 제품 표준을 충족하며 모든 기능의 신뢰성 승인을 자랑합니다.

    특징

    고급 트렌치 기술은 더 높은 셀 밀도를 허용하여 초저 게이트 전하 및 탁월한 CdV/dt 효과 감소를 갖춘 친환경 장치를 제공합니다.

    응용

    고주파 POL(Point-of-Load) 동기식 소형 전력 스위칭은 MB/NB/UMPC/VGA, 네트워킹 DC-DC 전원 시스템, 로드 스위치, 전자 담배, 컨트롤러, 디지털 제품, 소형 가전 제품 및 가전 제품에 사용하기에 적합합니다. .

    해당 자재번호

    FDC634P, VISHAY Si3443DDV, NXP PMDT670UPE,

    중요한 매개변수

    상징 매개변수 평가 단위
    10초 정상 상태
    VDS 드레인 소스 전압 -20 V
    VGS 게이트 소스 전압 ±12 V
    ID@TA=25℃ 연속 드레인 전류, VGS @ -4.5V1 -3.6 -3.2 A
    ID@TA=70℃ 연속 드레인 전류, VGS @ -4.5V1 -2.6 -2.4 A
    IDM 펄스 드레인 전류2 -12 A
    PD@TA=25℃ 총 전력 소모3 1.7 1.4 W
    PD@TA=70℃ 총 전력 소모3 1.2 0.9 W
    TSTG 보관 온도 범위 -55~150
    TJ 작동 접합 온도 범위 -55~150
    상징 매개변수 정황 최소 유형 최대. 단위
    BVDSS 드레인 소스 항복 전압 VGS=0V, ID=-250uA -20 --- --- V
    △BVDSS/ △TJ BVDSS 온도 계수 25℃ 기준, ID=-1mA --- -0.011 --- V/℃
    RDS(켜짐) 정적 드레인 소스 온 저항2 VGS=-4.5V, ID=-2A --- 80 85
           
        VGS=-2.5V, ID=-1A --- 95 115  
    VGS(일) 게이트 임계값 전압 VGS=VDS, ID =-250uA -0.5 -1.0 -1.5 V
               
    △VGS(일) VGS(일) 온도 계수   --- 3.95 --- mV/℃
    IDSS 드레인 소스 누설 전류 VDS=-16V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- -1 uA
           
        VDS=-16V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- -5  
    IGS 게이트 소스 누설 전류 VGS=±12V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs 순방향 상호컨덕턴스 VDS=-5V , ID=-2A --- 8.5 --- S
    Qg 총 게이트 충전(-4.5V) VDS=-15V , VGS=-4.5V , ID=-2A --- 3.3 11.3 nC
    Qgs 게이트 소스 요금 --- 1.1 1.7
    Qgd 게이트-드레인 충전 --- 1.1 2.9
    Td(켜짐) 켜기 지연 시간 VDD=-15V , VGS=-4.5V ,

    RG=3.3Ω, ID=-2A

    --- 7.2 --- ns
    Tr 상승 시간 --- 9.3 ---
    Td(꺼짐) 꺼짐 지연 시간 --- 15.4 ---
    Tf 가을 시간 --- 3.6 ---
    시스 입력 커패시턴스 VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz --- 750 --- pF
    코스 출력 커패시턴스 --- 95 ---
    Crss 역방향 전송 용량 --- 68 ---

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