WSR200N08 N 채널 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET
일반 설명
WSR200N08은 매우 높은 셀 밀도를 갖춘 최고 성능의 트렌치 N-Ch MOSFET으로 대부분의 동기식 벅 컨버터 애플리케이션에 탁월한 RDSON 및 게이트 전하를 제공합니다. WSR200N08은 RoHS 및 친환경 제품 요구 사항을 충족하며 전체 기능 신뢰성이 승인되어 100% EAS가 보장됩니다.
특징
고급 높은 셀 밀도 트렌치 기술, 초저 게이트 전하, 우수한 CdV/dt 효과 감소, 100% EAS 보장, 친환경 장치 사용 가능.
응용
스위칭 애플리케이션, 인버터 시스템용 전력관리, 전자담배, 무선충전, 모터, BMS, 비상전원장치, 드론, 의료, 자동차 충전, 컨트롤러, 3D 프린터, 디지털 제품, 소형가전, 가전제품 등
해당 자재번호
AO AOT480L, FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1 등
중요한 매개변수
전기적 특성(별도의 언급이 없는 한 TJ=25℃)
상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
VDS | 드레인 소스 전압 | 80 | V |
VGS | 게이트 소스 전압 | ±25 | V |
ID@TC=25℃ | 연속 드레인 전류, VGS @ 10V1 | 200 | A |
ID@TC=100℃ | 연속 드레인 전류, VGS @ 10V1 | 144 | A |
IDM | 펄스 드레인 전류2,TC=25°C | 790 | A |
EAS | 눈사태 에너지, 단일 펄스, L=0.5mH | 1496 | mJ |
IAS | 눈사태 전류, 단일 펄스, L=0.5mH | 200 | A |
PD@TC=25℃ | 총 전력 소모4 | 345 | W |
PD@TC=100℃ | 총 전력 소모4 | 173 | W |
TSTG | 보관 온도 범위 | -55~175 | ℃ |
TJ | 작동 접합 온도 범위 | 175 | ℃ |
상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, ID=250uA | 80 | --- | --- | V |
△BVDSS/ △TJ | BVDSS 온도 계수 | 25℃ 기준, ID=1mA | --- | 0.096 | --- | V/℃ |
RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=10V,ID=100A | --- | 2.9 | 3.5 | mΩ |
VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, ID =250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VGS(일) | VGS(일) 온도 계수 | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=80V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=80V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Rg | 게이트 저항 | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
Qg | 총 게이트 충전(10V) | VDS=80V , VGS=10V , ID=30A | --- | 197 | --- | nC |
Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 31 | --- | ||
Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 75 | --- | ||
Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=50V , VGS=10V ,RG=3Ω, ID=30A | --- | 28 | --- | ns |
Tr | 상승 시간 | --- | 18 | --- | ||
Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 42 | --- | ||
Tf | 가을 시간 | --- | 54 | --- | ||
시스 | 입력 커패시턴스 | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 8154 | --- | pF |
코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 1029 | --- | ||
Crss | 역방향 전송 용량 | --- | 650 | --- |
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