WSR200N08 N 채널 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

제품

WSR200N08 N 채널 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

간단한 설명:


  • 모델 번호:WSR200N08
  • BVDSS:80V
  • 르드손:2.9mΩ
  • ID:200A
  • 채널:N채널
  • 패키지:TO-220-3L
  • 제품 여름:WSR200N08 MOSFET은 2.9밀리옴의 저항으로 최대 80V 및 200A를 처리할 수 있습니다. N채널 장치이며 TO-220-3L 패키지로 제공됩니다.
  • 신청:전자 담배, 무선 충전기, 모터, 배터리 관리 시스템, 백업 전원, 무인 항공기, 의료 기기, 전기 자동차 충전 장비, 제어 장치, 3D 프린팅 기계, 전자 장치, 소형 가전 제품 및 가전 제품.
  • 제품 세부정보

    애플리케이션

    제품 태그

    일반 설명

    WSR200N08은 매우 높은 셀 밀도를 갖춘 최고 성능의 트렌치 N-Ch MOSFET으로 대부분의 동기식 벅 컨버터 애플리케이션에 탁월한 RDSON 및 게이트 전하를 제공합니다. WSR200N08은 RoHS 및 친환경 제품 요구 사항을 충족하며 전체 기능 신뢰성이 승인되어 100% EAS가 보장됩니다.

    특징

    고급 높은 셀 밀도 트렌치 기술, 초저 게이트 전하, 우수한 CdV/dt 효과 감소, 100% EAS 보장, 친환경 장치 사용 가능.

    응용

    스위칭 애플리케이션, 인버터 시스템용 전력관리, 전자담배, 무선충전, 모터, BMS, 비상전원장치, 드론, 의료, 자동차 충전, 컨트롤러, 3D 프린터, 디지털 제품, 소형가전, 가전제품 등

    해당 자재번호

    AO AOT480L, FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1 등

    중요한 매개변수

    전기적 특성(별도의 언급이 없는 한 TJ=25℃)

    상징 매개변수 평가 단위
    VDS 드레인 소스 전압 80 V
    VGS 게이트 소스 전압 ±25 V
    ID@TC=25℃ 연속 드레인 전류, VGS @ 10V1 200 A
    ID@TC=100℃ 연속 드레인 전류, VGS @ 10V1 144 A
    IDM 펄스 드레인 전류2,TC=25°C 790 A
    EAS 눈사태 에너지, 단일 펄스, L=0.5mH 1496 mJ
    IAS 눈사태 전류, 단일 펄스, L=0.5mH 200 A
    PD@TC=25℃ 총 전력 소모4 345 W
    PD@TC=100℃ 총 전력 소모4 173 W
    TSTG 보관 온도 범위 -55~175
    TJ 작동 접합 온도 범위 175
    상징 매개변수 정황 최소 유형 최대. 단위
    BVDSS 드레인 소스 항복 전압 VGS=0V, ID=250uA 80 --- --- V
    △BVDSS/ △TJ BVDSS 온도 계수 25℃ 기준, ID=1mA --- 0.096 --- V/℃
    RDS(켜짐) 정적 드레인 소스 온 저항2 VGS=10V,ID=100A --- 2.9 3.5
    VGS(일) 게이트 임계값 전압 VGS=VDS, ID =250uA 2.0 3.0 4.0 V
    △VGS(일) VGS(일) 온도 계수 --- -5.5 --- mV/℃
    IDSS 드레인 소스 누설 전류 VDS=80V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=80V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- 10
    IGS 게이트 소스 누설 전류 VGS=±25V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg 게이트 저항 VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 3.2 --- Ω
    Qg 총 게이트 충전(10V) VDS=80V , VGS=10V , ID=30A --- 197 --- nC
    Qgs 게이트 소스 요금 --- 31 ---
    Qgd 게이트-드레인 충전 --- 75 ---
    Td(켜짐) 켜기 지연 시간 VDD=50V , VGS=10V ,RG=3Ω, ID=30A --- 28 --- ns
    Tr 상승 시간 --- 18 ---
    Td(꺼짐) 꺼짐 지연 시간 --- 42 ---
    Tf 가을 시간 --- 54 ---
    시스 입력 커패시턴스 VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz --- 8154 --- pF
    코스 출력 커패시턴스 --- 1029 ---
    Crss 역방향 전송 용량 --- 650 ---

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