WSP4888 듀얼 N채널 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET
일반 설명
WSP4888은 조밀한 셀 구조를 갖춘 고성능 트랜지스터로 동기식 벅 컨버터에 사용하기에 이상적입니다. 뛰어난 RDSON 및 게이트 전하를 자랑하므로 이러한 애플리케이션에 가장 적합한 선택입니다. 또한 WSP4888은 RoHS 및 친환경 제품 요구 사항을 모두 충족하며 안정적인 기능에 대해 100% EAS 보증을 제공합니다.
특징
고급 트렌치 기술은 높은 셀 밀도와 초저 게이트 전하를 특징으로 하여 CdV/dt 효과를 크게 줄여줍니다. 당사의 장치에는 100% EAS 보증과 환경 친화적인 옵션이 함께 제공됩니다.
당사의 MOSFET은 엄격한 품질 관리 조치를 거쳐 최고의 산업 표준을 충족합니다. 각 장치는 성능, 내구성 및 신뢰성에 대해 철저한 테스트를 거쳐 긴 제품 수명을 보장합니다. 견고한 설계로 극한의 작업 조건을 견딜 수 있어 중단 없는 장비 기능을 보장합니다.
경쟁력 있는 가격: 우수한 품질에도 불구하고 당사의 MOSFET은 가격 경쟁력이 매우 높아 성능 저하 없이 상당한 비용 절감 효과를 제공합니다. 우리는 모든 소비자가 고품질 제품에 접근할 수 있어야 한다고 믿으며, 우리의 가격 전략에는 이러한 약속이 반영되어 있습니다.
광범위한 호환성: 당사의 MOSFET은 다양한 전자 시스템과 호환되므로 제조업체와 최종 사용자가 다양한 선택을 할 수 있습니다. 기존 시스템에 완벽하게 통합되어 주요 설계 수정 없이 전반적인 성능을 향상시킵니다.
응용
MB/NB/UMPC/VGA 시스템, 네트워킹 DC-DC 전원 시스템, 로드 스위치, 전자 담배, 무선 충전기, 모터, 드론, 의료 장비, 차량용 충전기, 컨트롤러에 사용하기 위한 고주파 POL(Point-of-Load) 동기식 벅 컨버터 , 디지털 제품, 소형 가전 및 가전 제품.
해당 자재번호
AOS AO4832 AO4838 AO4914,ON NTMS4916N,VISHAY Si4128DY,INFINEON BSO150N03MD G,Sinopower SM4803DSK,dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H
중요한 매개변수
| 상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
| VDS | 드레인 소스 전압 | 30 | V |
| VGS | 게이트 소스 전압 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | 연속 드레인 전류, VGS @ 10V1 | 9.8 | A |
| ID@TC=70℃ | 연속 드레인 전류, VGS @ 10V1 | 8.0 | A |
| IDM | 펄스 드레인 전류2 | 45 | A |
| EAS | 단일 펄스 눈사태 에너지3 | 25 | mJ |
| IAS | 눈사태 전류 | 12 | A |
| PD@TA=25℃ | 총 전력 소모4 | 2.0 | W |
| TSTG | 보관 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 작동 접합 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
| 상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
| BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/ △TJ | BVDSS 온도 계수 | 25℃ 기준, ID=1mA | --- | 0.034 | --- | V/℃ |
| RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=10V, ID=8.5A | --- | 13.5 | 18 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=5A | --- | 18 | 25 | |||
| VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, ID =250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(일) | VGS(일) 온도 계수 | --- | -5.8 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=24V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | 순방향 상호컨덕턴스 | VDS=5V, ID=8A | --- | 9 | --- | S |
| Rg | 게이트 저항 | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.8 | 2.9 | Ω |
| Qg | 총 게이트 충전(4.5V) | VDS=15V , VGS=4.5V , ID=8.8A | --- | 6 | 8.4 | nC |
| Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 1.5 | --- | ||
| Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 2.5 | --- | ||
| Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=15V , VGEN=10V , RG=6Ω ID=1A,RL=15Ω | --- | 7.5 | 9.8 | ns |
| Tr | 상승 시간 | --- | 9.2 | 19 | ||
| Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 19 | 34 | ||
| Tf | 가을 시간 | --- | 4.2 | 8 | ||
| 시스 | 입력 커패시턴스 | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 590 | 701 | pF |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 98 | 112 | ||
| Crss | 역방향 전송 용량 | --- | 59 | 91 |
