WSP4447 P 채널 -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET

제품

WSP4447 P 채널 -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET

간단한 설명:


  • 모델 번호:WSP4447
  • BVDSS:-40V
  • 르드손:13mΩ
  • ID:-11A
  • 채널:P채널
  • 패키지:SOP-8
  • 제품 여름:WSP4447 MOSFET의 전압은 -40V, 전류는 -11A, 저항은 13mΩ, 채널은 P-Channel, 패키지는 SOP-8입니다.
  • 신청:전자담배, 무선충전기, 모터, 드론, 의료기기, 차량용 충전기, 컨트롤러, 디지털 제품, 소형가전, 가전제품 등.
  • 제품 세부정보

    애플리케이션

    제품 태그

    일반 설명

    WSP4447은 트렌치 기술을 활용하고 셀 밀도가 높은 최고 성능의 MOSFET입니다. 뛰어난 RDSON 및 게이트 전하를 제공하므로 대부분의 동기식 벅 컨버터 애플리케이션에 사용하기에 적합합니다. WSP4447은 RoHS 및 친환경 제품 표준을 충족하며 완전한 신뢰성을 위해 100% EAS 보증을 제공합니다.

    특징

    고급 트렌치 기술은 더 높은 셀 밀도를 허용하여 초저 게이트 전하 및 뛰어난 CdV/dt 효과 감소를 갖춘 친환경 장치를 제공합니다.

    응용

    다양한 전자제품을 위한 고주파 변환기
    이 컨버터는 노트북, 게임 콘솔, 네트워킹 장비, 전자 담배, 무선 충전기, 모터, 드론, 의료 기기, 자동차 충전기, 컨트롤러, 디지털 제품, 소형 가전 제품 및 소비자를 포함한 다양한 장치에 효율적으로 전력을 공급하도록 설계되었습니다. 전자 제품.

    해당 자재번호

    AOS AO4425 AO4485, FDS4675, VISHAY Si4401FDY, ST STS10P4LLF6, TOSHIBA TPC8133, PANJIT PJL9421, Sinopower SM4403PSK, RUICHIPS RU40L10H.

    중요한 매개변수

    상징 매개변수 평가 단위
    VDS 드레인 소스 전압 -40 V
    VGS 게이트 소스 전압 ±20 V
    ID@TA=25℃ 연속 드레인 전류, VGS @ -10V1 -11 A
    ID@TA=70℃ 연속 드레인 전류, VGS @ -10V1 -9.0 A
    IDM 300μs 펄스 드레인 전류(VGS=-10V) -44 A
    EASb 눈사태 에너지, 단일 펄스(L=0.1mH) 54 mJ
    IASb 눈사태 전류, 단일 펄스(L=0.1mH) -33 A
    PD@TA=25℃ 총 전력 소모4 2.0 W
    TSTG 보관 온도 범위 -55~150
    TJ 작동 접합 온도 범위 -55~150
    상징 매개변수 정황 최소 유형 최대. 단위
    BVDSS 드레인 소스 항복 전압 VGS=0V, ID=-250uA -40 --- --- V
    △BVDSS/ △TJ BVDSS 온도 계수 25℃ 기준, ID=-1mA --- -0.018 --- V/℃
    RDS(켜짐) 정적 드레인 소스 온 저항2 VGS=-10V, ID=-13A --- 13 16
           
        VGS=-4.5V, ID=-5A --- 18 26  
    VGS(일) 게이트 임계값 전압 VGS=VDS, ID =-250uA -1.4 -1.9 -2.4 V
               
    △VGS(일) VGS(일) 온도 계수   --- 5.04 --- mV/℃
    IDSS 드레인 소스 누설 전류 VDS=-32V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- -1 uA
           
        VDS=-32V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- -5  
    IGS 게이트 소스 누설 전류 VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs 순방향 상호컨덕턴스 VDS=-5V, ID=-10A --- 18 --- S
    Qg 총 게이트 충전(-4.5V) VDS=-20V , VGS=-10V , ID=-11A --- 32 --- nC
    Qgs 게이트 소스 요금 --- 5.2 ---
    Qgd 게이트-드레인 충전 --- 8 ---
    Td(켜짐) 켜기 지연 시간 VDD=-20V , VGS=-10V ,

    RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω

    --- 14 --- ns
    Tr 상승 시간 --- 12 ---
    Td(꺼짐) 꺼짐 지연 시간 --- 41 ---
    Tf 가을 시간 --- 22 ---
    시스 입력 커패시턴스 VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz --- 1500 --- pF
    코스 출력 커패시턴스 --- 235 ---
    Crss 역방향 전송 용량 --- 180 ---

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