WSM340N10G N채널 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET
일반 설명
WSM340N10G는 극도로 높은 셀 밀도를 갖춘 최고 성능의 트렌치 N-Ch MOSFET으로, 대부분의 동기식 벅 컨버터 애플리케이션에 탁월한 RDSON 및 게이트 전하를 제공합니다. WSM340N10G는 RoHS 및 친환경 제품 요구 사항을 충족하며 전체 기능 신뢰성이 승인되어 100% EAS가 보장됩니다.
특징
고급 셀 밀도 트렌치 기술, 초저 게이트 전하, 탁월한 CdV/dt 효과 감소, 100% EAS 보장, 친환경 장치 사용 가능.
응용
동기정류 , DC/DC 컨버터 , 부하스위치 , 의료기기, 드론, PD 전원, LED 전원, 산업기기 등
중요한 매개변수
절대 최대 등급
| 상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
| VDS | 드레인 소스 전압 | 100 | V |
| VGS | 게이트 소스 전압 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | 연속 드레인 전류, VGS @ 10V | 340 | A |
| ID@TC=100℃ | 연속 드레인 전류, VGS @ 10V | 230 | A |
| IDM | 펄스 드레인 전류..TC=25°C | 1150 | A |
| EAS | 눈사태 에너지, 단일 펄스, L=0.5mH | 1800 | mJ |
| IAS | 눈사태 전류, 단일 펄스, L=0.5mH | 120 | A |
| PD@TC=25℃ | 총 전력 손실 | 375 | W |
| PD@TC=100℃ | 총 전력 손실 | 187 | W |
| TSTG | 보관 온도 범위 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 작동 접합 온도 범위 | 175 | ℃ |
전기적 특성(별도의 언급이 없는 한 TJ=25℃)
| 상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
| BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/ △TJ | BVDSS 온도 계수 | 25℃ 기준, ID=1mA | --- | 0.096 | --- | V/℃ |
| RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항 | VGS=10V,ID=50A | --- | 1.6 | 2.3 | mΩ |
| VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, ID =250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(일) | VGS(일) 온도 계수 | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=85V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | 게이트 저항 | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | 총 게이트 충전(10V) | VDS=50V , VGS=10V , ID=50A | --- | 260 | --- | nC |
| Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 80 | --- | ||
| Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 60 | --- | ||
| Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. | --- | 88 | --- | ns |
| Tr | 상승 시간 | --- | 50 | --- | ||
| Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 228 | --- | ||
| Tf | 가을 시간 | --- | 322 | --- | ||
| 시스 | 입력 커패시턴스 | VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 13900 | --- | pF |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 6160 | --- | ||
| Crss | 역방향 전송 용량 | --- | 220 | --- |
여기에 메시지를 작성하여 보내주세요.
