WSM320N04G N채널 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

간단한 설명:

모델 번호:WSM320N04G

BVDSS:40V

르드손:1.2mΩ

ID:320A

채널:N채널

패키지:통행료-8L

제품 여름:WSM320N04G MOSFET은 전압 40V, 전류 320A, 저항 1.2mΩ, N 채널 및 TOLL-8L 패키지를 갖습니다.

신청:전자 담배, 무선 충전, 드론, 의료, 자동차 충전, 컨트롤러, 디지털 제품, 소형 가전 제품, 가전 제품.

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제품 세부정보

애플리케이션

제품 태그

일반 설명

WSM320N04G는 트렌치 설계를 사용하고 셀 밀도가 매우 높은 고성능 MOSFET입니다. 이는 뛰어난 RDSON 및 게이트 전하를 가지며 대부분의 동기식 벅 컨버터 애플리케이션에 적합합니다. WSM320N04G는 RoHS 및 친환경 제품 요구 사항을 충족하며 100% EAS 및 전체 기능 신뢰성을 보장합니다.

특징

고급 셀 밀도 트렌치 기술은 최적의 성능을 위해 낮은 게이트 전하를 특징으로 합니다. 또한 탁월한 CdV/dt 효과 감소, 100% EAS 보증 및 친환경 옵션을 자랑합니다.

응용

고주파 POL(Point-of-Load) 동기식 벅 컨버터, 네트워킹 DC-DC 전원 시스템, 전동 공구 애플리케이션, 전자 담배, 무선 충전, 드론, 의료, 자동차 충전, 컨트롤러, 디지털 제품, 소형 가전 제품 및 가전 제품.

중요한 매개변수

상징	매개변수	평가	단위
VDS	드레인 소스 전압	40	V
VGS	게이트 소스 전압	±20	V
ID@TC=25℃	연속 드레인 전류, VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	연속 드레인 전류, VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	펄스 드레인 전류2	900	A
EAS	단일 펄스 눈사태 에너지3	980	mJ
IAS	눈사태 전류	70	A
PD@TC=25℃	총 전력 소모4	250	W
TSTG	보관 온도 범위	-55~175	℃
TJ	작동 접합 온도 범위	-55~175	℃

상징	매개변수	정황	최소	유형	최대.	단위
BVDSS	드레인 소스 항복 전압	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/ △TJ	BVDSS 온도 계수	25℃ 기준, ID=1mA	---	0.050	---	V/℃
RDS(켜짐)	정적 드레인 소스 온 저항2	VGS=10V, ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS(켜짐)	정적 드레인 소스 온 저항2	VGS=4.5V, ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(일)	게이트 임계값 전압	VGS=VDS, ID =250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(일)	VGS(일) 온도 계수	VGS=VDS, ID =250uA	---	-6.94	---	mV/℃
IDSS	드레인 소스 누설 전류	VDS=40V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	드레인 소스 누설 전류	VDS=40V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	10	uA
IGS	게이트 소스 누설 전류	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	순방향 상호컨덕턴스	VDS=5V, ID=50A	---	160	---	S
Rg	게이트 저항	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	총 게이트 충전(10V)	VDS=20V , VGS=10V , ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	게이트 소스 요금		---	43	---
Qgd	게이트-드레인 충전		---	83	---
Td(켜짐)	켜기 지연 시간	VDD=20V , VGEN=4.5V , RG=2.7Ω, ID=1A .	---	30	---	ns
Tr	상승 시간		---	115	---
Td(꺼짐)	꺼짐 지연 시간		---	95	---
Tf	가을 시간		---	80	---
시스	입력 커패시턴스	VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz	---	8100	---	pF
코스	출력 커패시턴스		---	1200	---
Crss	역방향 전송 용량		---	800	---