WSF70P02 P 채널 -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET
일반 설명
WSF70P02 MOSFET은 셀 밀도가 높은 최고 성능의 P채널 트렌치 장치입니다. 대부분의 동기식 벅 컨버터 애플리케이션에 뛰어난 RDSON 및 게이트 충전을 제공합니다. 이 장치는 RoHS 및 친환경 제품 요구 사항을 충족하고 100% EAS를 보장하며 전체 기능 신뢰성에 대한 승인을 받았습니다.
특징
높은 셀 밀도, 초저 게이트 전하, 탁월한 CdV/dt 효과 감소, 100% EAS 보장 및 환경 친화적인 장치 옵션을 갖춘 고급 트렌치 기술입니다.
응용
고주파 POL(Point-of-Load) 동기식, MB/NB/UMPC/VGA용 벅 컨버터, 네트워킹 DC-DC 전원 시스템, 로드 스위치, 전자 담배, 무선 충전, 모터, 비상 전원 공급 장치, 드론, 의료, 차량용 충전기 , 컨트롤러, 디지털 제품, 소형 가전 제품, 가전 제품.
해당 자재번호
AOS
중요한 매개변수
상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 | |
10초 | 정상 상태 | |||
VDS | 드레인 소스 전압 | -20 | V | |
VGS | 게이트 소스 전압 | ±12 | V | |
ID@TC=25℃ | 연속 드레인 전류, VGS @ -10V1 | -70 | A | |
ID@TC=100℃ | 연속 드레인 전류, VGS @ -10V1 | -36 | A | |
IDM | 펄스 드레인 전류2 | -200 | A | |
EAS | 단일 펄스 눈사태 에너지3 | 360 | mJ | |
IAS | 눈사태 전류 | -55.4 | A | |
PD@TC=25℃ | 총 전력 소모4 | 80 | W | |
TSTG | 보관 온도 범위 | -55~150 | ℃ | |
TJ | 작동 접합 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
△BVDSS/ △TJ | BVDSS 온도 계수 | 25℃ 기준, ID=-1mA | --- | -0.018 | --- | V/℃ |
RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=-4.5V, ID=-15A | --- | 6.8 | 9.0 | mΩ |
VGS=-2.5V, ID=-10A | --- | 8.2 | 11 | |||
VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, ID =-250uA | -0.4 | -0.6 | -1.2 | V |
△VGS(일) | VGS(일) 온도 계수 | --- | 2.94 | --- | mV/℃ | |
IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=-20V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=-20V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | 순방향 상호컨덕턴스 | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 45 | --- | S |
Qg | 총 게이트 충전(-4.5V) | VDS=-15V , VGS=-4.5V , ID=-10A | --- | 63 | --- | nC |
Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 9.1 | --- | ||
Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 13 | --- | ||
Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=-10V , VGS=-4.5V , RG=3.3Ω, ID=-10A | --- | 16 | --- | ns |
Tr | 상승 시간 | --- | 77 | --- | ||
Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 195 | --- | ||
Tf | 가을 시간 | --- | 186 | --- | ||
시스 | 입력 커패시턴스 | VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 5783 | --- | pF |
코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 520 | --- | ||
Crss | 역방향 전송 용량 | --- | 445 | --- |
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