WSF6012 N&P 채널 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

제품

WSF6012 N&P 채널 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

간단한 설명:


  • 모델 번호:WSF6012
  • BVDSS:60V/-60V
  • 르드손:28mΩ/75mΩ
  • ID:20A/-15A
  • 채널:N&P 채널
  • 패키지:TO-252-4L
  • 제품 여름:WSF6012 MOSFET은 60V 및 -60V의 전압 범위를 가지며, 최대 20A 및 -15A의 전류를 처리할 수 있고, 28mΩ 및 75mΩ의 저항을 가지며, N&P 채널을 모두 갖추고 있으며 TO-252-4L로 패키지됩니다.
  • 신청:전자 담배, 무선 충전기, 모터, 백업 전원, 드론, 헬스케어, 차량용 충전기, 컨트롤러, 전자 제품, 가전 제품 및 소비재.
  • 제품 상세 정보

    애플리케이션

    제품 태그

    일반적인 설명

    WSF6012 MOSFET은 높은 셀 밀도 설계를 갖춘 고성능 장치입니다.대부분의 동기식 벅 컨버터 애플리케이션에 적합한 우수한 RDSON 및 게이트 충전을 제공합니다.또한 RoHS 및 친환경 제품 요구 사항을 충족하며 전체 기능과 신뢰성에 대해 100% EAS 보증이 제공됩니다.

    특징

    높은 셀 밀도, 매우 낮은 게이트 전하, 뛰어난 CdV/dt 효과 감소, 100% EAS 보증 및 환경 친화적인 장치 옵션을 갖춘 고급 트렌치 기술입니다.

    응용

    고주파 부하점 동기식 벅 컨버터, 네트워킹 DC-DC 전원 시스템, 로드 스위치, 전자 담배, 무선 충전, 모터, 비상 전원 공급 장치, 드론, 헬스케어, 차량용 충전기, 컨트롤러, 디지털 장치, 소형 가전 제품, 그리고 가전제품.

    해당 자재번호

    AOS AOD603A,

    중요한 매개변수

    상징 매개변수 평가 단위
    N채널 P채널
    VDS 드레인 소스 전압 60 -60 V
    VGS 게이트 소스 전압 ±20 ±20 V
    ID@TC=25℃ 연속 드레인 전류, VGS @ 10V1 20 -15 A
    ID@TC=70℃ 연속 드레인 전류, VGS @ 10V1 15 -10 A
    IDM 펄스 드레인 전류2 46 -36 A
    EAS 단일 펄스 눈사태 에너지3 200 180 mJ
    IAS 눈사태 전류 59 -50 A
    PD@TC=25℃ 총 전력 소모4 34.7 34.7 W
    TSTG 보관 온도 범위 -55~150 -55~150
    TJ 작동 접합 온도 범위 -55~150 -55~150
    상징 매개변수 정황 최소 유형 최대. 단위
    BVDSS 드레인 소스 항복 전압 VGS=0V, ID=250uA 60 --- --- V
    △BVDSS/ △TJ BVDSS 온도 계수 25℃ 기준, ID=1mA --- 0.063 --- V/℃
    RDS(켜짐) 정적 드레인 소스 온 저항2 VGS=10V, ID=8A --- 28 37
    VGS=4.5V, ID=5A --- 37 45
    VGS(일) 게이트 임계값 전압 VGS=VDS, ID =250uA 1 --- 2.5 V
    △VGS(일) VGS(일) 온도 계수 --- -5.24 --- mV/℃
    IDSS 드레인 소스 누설 전류 VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- 5
    IGS 게이트 소스 누설 전류 VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs 순방향 상호컨덕턴스 VDS=5V, ID=8A --- 21 --- S
    Rg 게이트 저항 VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 3.0 4.5 Ω
    Qg 총 게이트 충전(4.5V) VDS=48V , VGS=4.5V , ID=8A --- 12.6 20 nC
    Qgs 게이트 소스 요금 --- 3.5 ---
    Qgd 게이트-드레인 충전 --- 6.3 ---
    Td(켜짐) 켜기 지연 시간 VDD=30V , VGS=4.5V ,

    RG=3.3Ω, ID=1A

    --- 8 --- ns
    Tr 상승 시간 --- 14.2 ---
    Td(꺼짐) 꺼짐 지연 시간 --- 24.6 ---
    Tf 가을 시간 --- 4.6 ---
    시스 입력 커패시턴스 VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz --- 670 --- pF
    코스 출력 커패시턴스 --- 70 ---
    Crss 역방향 전송 용량 --- 35 ---

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