WSF4022 듀얼 N채널 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET

제품

WSF4022 듀얼 N채널 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET

간단한 설명:


  • 모델 번호:WSF4022
  • BVDSS:40V
  • 르드손:21mΩ
  • ID:20A
  • 채널:듀얼 N채널
  • 패키지:TO-252-4L
  • 제품 여름:WSF30150 MOSFET의 전압은 40V, 전류는 20A, 저항은 21mΩ, 채널은 Dual N-Channel, 패키지는 TO-252-4L입니다.
  • 신청:전자담배, 무선충전, 모터, 비상전원장치, 드론, 의료, 차량용 충전기, 컨트롤러, 디지털 제품, 소형가전, 가전제품.
  • 제품 상세 정보

    애플리케이션

    제품 태그

    일반적인 설명

    WSF4022는 극도로 높은 셀 밀도를 갖춘 최고 성능의 트렌치 듀얼 N-Ch MOSFET으로, 대부분의 동기식 벅 컨버터 애플리케이션에 탁월한 RDSON 및 게이트 전하를 제공합니다. WSF4022는 RoHS 및 친환경 제품 요구 사항을 충족합니다. 전체 기능으로 100% EAS가 보장됩니다. 신뢰성이 승인되었습니다.

    특징

    팬 프리드라이버 H-Bridge, 모터 제어, 동기 정류, 전자 담배, 무선 충전, 모터, 비상 전원 공급 장치, 드론, 의료, 차량용 충전기, 컨트롤러, 디지털 제품, 소형 가전 제품, 가전 제품용.

    응용

    팬 프리드라이버 H-Bridge, 모터 제어, 동기 정류, 전자 담배, 무선 충전, 모터, 비상 전원 공급 장치, 드론, 의료, 차량용 충전기, 컨트롤러, 디지털 제품, 소형 가전 제품, 가전 제품용.

    해당 자재번호

    AOS

    중요한 매개변수

    상징 매개변수   평가 단위
    VDS 드레인 소스 전압   40 V
    VGS 게이트 소스 전압   ±20 V
    ID 드레인 전류(연속) *AC 기온=25°C 20* A
    ID 드레인 전류(연속) *AC 온도=100°C 20* A
    ID 드레인 전류(연속) *AC TA=25°C 12.2 A
    ID 드레인 전류(연속) *AC 타=70°C 10.2 A
    IDMa 펄스 드레인 전류 기온=25°C 80* A
    EASb 단일 펄스 눈사태 에너지 L=0.5mH 25 mJ
    IASb 눈사태 전류 L=0.5mH 17.8 A
    PD 최대 전력 손실 기온=25°C 39.4 W
    PD 최대 전력 손실 온도=100°C 19.7 W
    PD 전력 소모 TA=25°C 6.4 W
    PD 전력 소모 타=70°C 4.2 W
    TJ 작동 접합 온도 범위   175
    TSTG 작동 온도/보관 온도   -55~175
    RθJAb 열 저항 접합 - 주변 정상 상태 c 60 ℃/W
    RθJC 케이스에 대한 열 저항 접합   3.8 ℃/W
    상징 매개변수 정황 최소 유형 최대. 단위
    공전      
    V(BR)DSS 드레인 소스 항복 전압 VGS = 0V, ID = 250μA 40     V
    IDSS 제로 게이트 전압 드레인 전류 VDS = 32V, VGS = 0V     1 µA
    IDSS 제로 게이트 전압 드레인 전류 VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C     30 µA
    IGS 게이트 누설 전류 VGS = ±20V, VDS = 0V     ±100 nA
    VGS(일) 게이트 임계값 전압 VGS = VDS, IDS = 250μA 1.1 1.6 2.5 V
    RDS(켜짐) d 드레인 소스 온 상태 저항 VGS = 10V, ID = 10A   16 21
    VGS = 4.5V, ID = 5A   18 25
    게이트 담당      
    Qg 총 게이트 요금 VDS=20V,VGS=4.5V, ID=10A   7.5   nC
    Qgs 게이트 소스 요금   3.24   nC
    Qgd 게이트-드레인 충전   2.75   nC
    다이나믹스      
    시스 입력 커패시턴스 VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz   815   pF
    코스 출력 커패시턴스   95   pF
    Crss 역방향 전송 용량   60   pF
    td (켜짐) 켜기 지연 시간 VDD=20V, VGEN=10V,

    IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω.

      7.8   ns
    tr 켜기 상승 시간   6.9   ns
    td(끄기) 끄기 지연 시간   22.4   ns
    tf 꺼짐 하강 시간   4.8   ns
    다이오드      
    VSDd 다이오드 순방향 전압 ISD=1A, VGS=0V   0.75 1.1 V
    트르 입력 커패시턴스 IDS=10A, dlSD/dt=100A/μs   13   ns
    Qrr 출력 커패시턴스   8.7   nC

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