WSD80130DN56 N채널 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 제품 개요
WSD80130DN56 MOSFET의 전압은 80V, 전류는 130A, 저항은 2.7mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.
WINSOK MOSFET 응용 분야
드론 MOSFET, 모터 MOSFET, 의료용 MOSFET, 전동 공구 MOSFET, ESC MOSFET.
WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.ST마이크로일렉트로닉스 MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
MOSFET 매개변수
| 상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
| VDS | 드레인 소스 전압 | 80 | V |
| VGS | 게이트소우rCE 전압 | ±20 | V |
| TJ | 최대 접합 온도 | 150 | ℃ |
| ID | 보관 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
| ID | 연속 배수 전류, VGS=10V,TC=25°C | 130 | A |
| 연속 배수 전류, VGS=10V,TC=70°C | 89 | A | |
| IDM | 펄스형 드레인 전류,TC=25°C | 400 | A |
| PD | 최대 전력 손실,TC=25°C | 200 | W |
| RqJC | 열 저항 - 케이스 접합 | 1.25 | ℃ |
| 상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
| BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, 나는D=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/ΔTJ | BVDSS온도 계수 | 25 참조℃, 나D=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=10V, 나는D=40A | --- | 2.7 | 3.6 | mΩ |
| VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, 나D=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(일) | VGS(일)온도 계수 | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=48V,VGS=0V, 티J=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V,VGS=0V, 티J=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | 총 게이트 충전(10V) | VDS=30V,VGS=10V, 나는D=30A | --- | 48.6 | --- | nC |
| Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 17.5 | --- | ||
| Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 10.4 | --- | ||
| Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=30V,VGS=10V, RG=2.5Ω, 나D=2A,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | 상승 시간 | --- | 10 | --- | ||
| Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 35 | --- | ||
| Tf | 가을 시간 | --- | 12 | --- | ||
| Ciss | 입력 커패시턴스 | VDS=25V,VGS=0V , f=1MHz | --- | 4150 | --- | pF |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 471 | --- | ||
| CRSS | 역방향 전송 용량 | --- | 20 | --- |
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