WSD80120DN56 N채널 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 제품 개요
WSD80120DN56 MOSFET의 전압은 85V, 전류는 120A, 저항은 3.7mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.
WINSOK MOSFET 응용 분야
의료용 전압 MOSFET, 사진 장비 MOSFET, 드론 MOSFET, 산업용 제어 MOSFET, 5G MOSFET, 자동차 전자 MOSFET.
WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.ST마이크로일렉트로닉스 MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
MOSFET 매개변수
| 상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
| VDS | 드레인 소스 전압 | 85 | V |
| VGS | 게이트소우rCE 전압 | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | 연속 배수 전류, VGS@ 10V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | 연속 배수 전류, VGS@ 10V | 96 | A |
| IDM | 펄스 드레인 전류..TC=25°C | 384 | A |
| EAS | 눈사태 에너지, 단일 펄스, L=0.5mH | 320 | mJ |
| IAS | 눈사태 전류, 단일 펄스, L=0.5mH | 180 | A |
| PD@TC=25℃ | 총 전력 손실 | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | 총 전력 손실 | 53 | W |
| TSTG | 보관 온도 범위 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 작동 접합 온도 범위 | 175 | ℃ |
| 상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
| BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, 나는D=250uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/ΔTJ | BVDSS온도 계수 | 25 참조℃, 나D=1mA | --- | 0.096 | --- | V/℃ |
| RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항 | VGS=10V,ID=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, 나D=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(일) | VGS(일)온도 계수 | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=85V, VGS=0V, 티J=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V, VGS=0V, 티J=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | 게이트 저항 | VDS=0V,VGS=0V , f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | 총 게이트 충전(10V) | VDS=50V, VGS=10V, 나는D=10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 11 | --- | ||
| Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | 상승 시간 | --- | 18 | --- | ||
| Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 36 | --- | ||
| Tf | 가을 시간 | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | 입력 커패시턴스 | VDS=40V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 395 | --- | ||
| CRSS | 역방향 전송 용량 | --- | 180 | --- |
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