WSD80100DN56 N채널 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 제품 개요
WSD80100DN56 MOSFET의 전압은 80V, 전류는 100A, 저항은 6.1mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.
WINSOK MOSFET 응용 분야
드론 MOSFET, 모터 MOSFET, 자동차 전자 MOSFET, 주요 가전 MOSFET.
WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS 반도체 MOSFET PDC7966X.
MOSFET 매개변수
| 상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
| VDS | 드레인 소스 전압 | 80 | V |
| VGS | 게이트소우rCE 전압 | ±20 | V |
| TJ | 최대 접합 온도 | 150 | ℃ |
| ID | 보관 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
| ID | 연속 배수 전류, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| 연속 배수 전류, VGS=10V,TC=100°C | 80 | A | |
| IDM | 펄스형 드레인 전류,TC=25°C | 380 | A |
| PD | 최대 전력 손실,TC=25°C | 200 | W |
| RqJC | 열 저항 - 케이스 접합 | 0.8 | ℃ |
| EAS | 눈사태 에너지, 단일 펄스, L=0.5mH | 800 | mJ |
| 상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
| BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, 나는D=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/ΔTJ | BVDSS온도 계수 | 25 참조℃, 나D=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=10V, 나는D=40A | --- | 6.1 | 8.5 | mΩ |
| VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, 나D=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(일) | VGS(일)온도 계수 | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=48V,VGS=0V, 티J=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V,VGS=0V, 티J=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | 순방향 상호컨덕턴스 | VDS=5V, 나는D=20A | 80 | --- | --- | S |
| Qg | 총 게이트 충전(10V) | VDS=30V,VGS=10V, 나는D=30A | --- | 125 | --- | nC |
| Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 24 | --- | ||
| Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 30 | --- | ||
| Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=30V,VGS=10V, RG=2.5Ω, 나D=2A,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | 상승 시간 | --- | 19 | --- | ||
| Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 70 | --- | ||
| Tf | 가을 시간 | --- | 30 | --- | ||
| Ciss | 입력 커패시턴스 | VDS=25V,VGS=0V , f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 410 | --- | ||
| CRSS | 역방향 전송 용량 | --- | 315 | --- |
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