WSD75N12GDN56 N채널 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

제품

WSD75N12GDN56 N채널 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

간단한 설명:

부품 번호:WSD75N12GDN56

BVDSS:120V

ID:75A

RD손:6mΩ

채널:N채널

패키지:DFN5X6-8


제품 상세 정보

애플리케이션

제품 태그

WINSOK MOSFET 제품 개요

WSD75N12GDN56 MOSFET의 전압은 120V, 전류는 75A, 저항은 6mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.

WINSOK MOSFET 응용 분야

의료 장비 MOSFET, 드론 MOSFET, PD 전원 공급 장치 MOSFET, LED 전원 공급 장치 MOSFET, 산업 장비 MOSFET.

MOSFET 응용 분야WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.

MOSFET 매개변수

상징

매개변수

평가

단위

VDSS

드레인-소스 전압

120

V

VGS

게이트-소스 전압

±20

V

ID

1

연속 드레인 전류(Tc=25℃)

75

A

ID

1

연속 드레인 전류(Tc=70℃)

70

A

IDM

펄스 드레인 전류

320

A

IAR

단일 펄스 애벌런치 전류

40

A

EASa

단일 펄스 애벌런치 에너지

240

mJ

PD

전력 소모

125

W

TJ, Tstg

작동 접합 및 보관 온도 범위

-55~150

TL

납땜을 위한 최대 온도

260

RθJC

열 저항, 접합부-케이스

1.0

℃/W

RθJA

열저항, 접합-주변

50

℃/W

 

상징

매개변수

시험 조건

최소

유형

최대.

단위

VDSS

드레인-소스 항복 전압 VGS=0V, ID=250μA

120

--

--

V

IDSS

소스 누설 전류에 대한 드레인 VDS = 120V, VGS= 0V

--

--

1

µA

IGSS(여)

게이트에서 소스로의 순방향 누출 VGS =+20V

--

--

100

nA

IGSS(R)

게이트-소스 역방향 누출 VGS =-20V

--

--

-100

nA

VGS(TH)

게이트 임계값 전압 VDS=VGS, ID = 250μA

2.5

3.0

3.5

V

RDS(켜짐)1

드레인-소스 온저항 VGS=10V, ID=20A

--

6.0

6.8

gFS

순방향 상호컨덕턴스 VDS=5V, ID=50A  

130

--

S

시스

입력 커패시턴스 VGS = 0V VDS = 50V f =1.0MHz

--

4282

--

pF

코스

출력 커패시턴스

--

429

--

pF

Crss

역방향 전송 용량

--

17

--

pF

Rg

게이트 저항

--

2.5

--

Ω

td(ON)

켜기 지연 시간

ID =20A VDS = 50V VGS =

10V RG = 5Ω

--

20

--

ns

tr

상승 시간

--

11

--

ns

td(끄기)

꺼짐 지연 시간

--

55

--

ns

tf

가을 시간

--

28

--

ns

Qg

총 게이트 요금 VGS =0~10V VDS = 50VID=20A

--

61.4

--

nC

Qgs

게이트 소스 요금

--

17.4

--

nC

Qgd

게이트 배수 요금

--

14.1

--

nC

IS

다이오드 순방향 전류 TC =25°C

--

--

100

A

주의

다이오드 펄스 전류

--

--

320

A

VSD

다이오드 순방향 전압 IS=6.0A, VGS=0V

--

--

1.2

V

트르

역회복 시간 IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs

--

100

--

ns

Qrr

역회복 비용

--

250

--

nC


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