WSD60N10GDN56 N채널 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 제품 개요
WSD60N10GDN56 MOSFET의 전압은 100V, 전류는 60A, 저항은 8.5mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.
WINSOK MOSFET 응용 분야
전자 담배 MOSFET, 무선 충전 MOSFET, 모터 MOSFET, 드론 MOSFET, 의료용 MOSFET, 차량용 충전기 MOSFET, 컨트롤러 MOSFET, 디지털 제품 MOSFET, 소형 가전 MOSFET, 가전 MOSFET.
MOSFET 응용 분야WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.INFINEON,IR MOSFET BSC19N1NS3G.TOSHIBA MOSFET TPH6R3ANL,TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS 반도체 MOSFET PDC92X.
MOSFET 매개변수
| 상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
| VDS | 드레인 소스 전압 | 100 | V |
| VGS | 게이트 소스 전압 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | 연속 배수 전류 | 60 | A |
| IDP | 펄스 드레인 전류 | 210 | A |
| EAS | 눈사태 에너지, 단일 펄스 | 100 | mJ |
| PD@TC=25℃ | 총 전력 손실 | 125 | 여 |
| TSTG | 보관 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 작동 접합 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
| 상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
| BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, 나는D=250uA | 100 | --- | --- | V |
| 정적 드레인 소스 온 저항 | VGS=10V,ID=10A. | --- | 8.5 | 10. 0 | mΩ | |
| RDS(켜짐) | VGS=4.5V,ID=10A. | --- | 9.5 | 12. 0 | mΩ | |
| VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, 나D=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=80V, VGS=0V, 티J=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | 총 게이트 충전(10V) | VDS=50V, VGS=10V, 나는D=25A | --- | 49.9 | --- | nC |
| Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 12.4 | --- | ||
| Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=50V, VGS=10V,RG=2.2Ω, 나는D=25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | 상승 시간 | --- | 5 | --- | ||
| Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 51.8 | --- | ||
| Tf | 가을 시간 | --- | 9 | --- | ||
| Ciss | 입력 커패시턴스 | VDS=50V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 362 | --- | ||
| CRSS | 역방향 전송 용량 | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | 연속 소스 전류 | VG=VD=0V, 강제 전류 | --- | --- | 60 | A |
| ISP | 펄스 소스 전류 | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | 다이오드 순방향 전압 | VGS=0V, 나는S=12A,티J=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | 역복구 시간 | IF=12A,dI/dt=100A/μs,TJ=25℃ | --- | 60.4 | --- | nS |
| Qrr | 역회복 비용 | --- | 106.1 | --- | nC |
