WSD60N10GDN56 N채널 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

간단한 설명:

부품 번호:WSD60N10GDN56

BVDSS：100V

ID:60A

RD손：8.5mΩ

채널:N채널

패키지:DFN5X6-8

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제품 세부정보

애플리케이션

제품 태그

WINSOK MOSFET 제품 개요

WSD60N10GDN56 MOSFET의 전압은 100V, 전류는 60A, 저항은 8.5mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.

WINSOK MOSFET 응용 분야

전자 담배 MOSFET, 무선 충전 MOSFET, 모터 MOSFET, 드론 MOSFET, 의료용 MOSFET, 차량용 충전기 MOSFET, 컨트롤러 MOSFET, 디지털 제품 MOSFET, 소형 가전 MOSFET, 가전 MOSFET.

MOSFET 응용 분야WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.INFINEON,IR MOSFET BSC19N1NS3G.TOSHIBA MOSFET TPH6R3ANL,TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS 반도체 MOSFET PDC92X.

MOSFET 매개변수

상징	매개변수	평가	단위
VDS	드레인 소스 전압	100	V
VGS	게이트 소스 전압	±20	V
I_D@T_C=25℃	연속 배수 전류	60	A
IDP	펄스 드레인 전류	210	A
EAS	눈사태 에너지, 단일 펄스	100	mJ
P_D@T_C=25℃	총 전력 손실	125	여
TSTG	보관 온도 범위	-55~150	℃
T_J	작동 접합 온도 범위	-55~150	℃

상징	매개변수	정황	최소	유형	최대.	단위
BV_DSS	드레인 소스 항복 전압	V_GS=0V, 나는_D=250uA	100	---	---	V
	정적 드레인 소스 온 저항	VGS=10V,ID=10A.	---	8.5	10. 0	mΩ
RDS(켜짐)	정적 드레인 소스 온 저항	VGS=4.5V,ID=10A.	---	9.5	12. 0	mΩ
VGS(일)	게이트 임계값 전압	V_GS=V_DS, 나_D=250uA	1.0	---	2.5	V
IDSS	드레인 소스 누설 전류	V_DS=80V, V_GS=0V, 티_J=25℃	---	---	1	uA
IGS	게이트 소스 누설 전류	V_GS=±20V, V_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	총 게이트 충전(10V)	V_DS=50V, V_GS=10V, 나는_D=25A	---	49.9	---	nC
Q_gs	게이트 소스 요금		---	6.5	---
Q_gd	게이트-드레인 충전		---	12.4	---
Td(켜짐)	켜기 지연 시간	V_DD=50V, V_GS=10V,R_G=2.2Ω, 나는_D=25A	---	20.6	---	ns
T_r	상승 시간		---	5	---
Td(꺼짐)	꺼짐 지연 시간		---	51.8	---
T_f	가을 시간		---	9	---
C_iss	입력 커패시턴스	V_DS=50V, V_GS=0V , f=1MHz	---	2604	---	pF
코스	출력 커패시턴스		---	362	---
C_RSS	역방향 전송 용량		---	6.5	---
I_S	연속 소스 전류	V_G=V_D=0V, 강제 전류	---	---	60	A
ISP	펄스 소스 전류	V_G=V_D=0V, 강제 전류	---	---	210	A
VSD	다이오드 순방향 전압	V_GS=0V, 나는_S=12A,티_J=25℃	---	---	1.3	V
t_rr	역복구 시간	IF=12A,dI/dt=100A/μs,T_J=25℃	---	60.4	---	nS
Q_rr	역회복 비용	IF=12A,dI/dt=100A/μs,T_J=25℃	---	106.1	---	nC