WSD45N10GDN56 N채널 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 제품 개요
WSD45N10GDN56 MOSFET의 전압은 100V, 전류는 45A, 저항은 14.5mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.
WINSOK MOSFET 응용 분야
전자 담배 MOSFET, 무선 충전 MOSFET, 모터 MOSFET, 드론 MOSFET, 의료용 MOSFET, 차량용 충전기 MOSFET, 컨트롤러 MOSFET, 디지털 제품 MOSFET, 소형 가전 MOSFET, 가전 MOSFET.
WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS 반도체 MOSFET PDC966X.
MOSFET 매개변수
상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
VDS | 드레인 소스 전압 | 100 | V |
VGS | 게이트소우rCE 전압 | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | 연속 배수 전류, VGS@ 10V | 45 | A |
ID@TC=100℃ | 연속 배수 전류, VGS@ 10V | 33 | A |
ID@TA=25℃ | 연속 배수 전류, VGS@ 10V | 12 | A |
ID@TA=70℃ | 연속 배수 전류, VGS@ 10V | 9.6 | A |
IDMa | 펄스 드레인 전류 | 130 | A |
EASb | 단일 펄스 눈사태 에너지 | 169 | mJ |
IASb | 눈사태 전류 | 26 | A |
PD@TC=25℃ | 총 전력 손실 | 95 | W |
PD@TA=25℃ | 총 전력 손실 | 5.0 | W |
TSTG | 보관 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
TJ | 작동 접합 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, 나는D=250uA | 100 | --- | --- | V |
△BVDSS/ΔTJ | BVDSS 온도 계수 | 25 참조℃, 나D=1mA | --- | 0.0 | --- | V/℃ |
RDS(켜짐)d | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=10V, 나는D=26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, 나D=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VGS(일) | VGS(일)온도 계수 | --- | -5 | mV/℃ | ||
IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=80V, VGS=0V, 티J=25℃ | --- | - | 1 | uA |
VDS=80V, VGS=0V, 티J=55℃ | --- | - | 30 | |||
IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±20V, VDS=0V | --- | - | ±100 | nA |
르게 | 게이트 저항 | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
Qge | 총 게이트 충전(10V) | VDS=50V, VGS=10V, 나는D=26A | --- | 42 | 59 | nC |
Qgse | 게이트 소스 요금 | --- | 12 | -- | ||
Qgde | 게이트-드레인 충전 | --- | 12 | --- | ||
Td(켜짐)e | 켜기 지연 시간 | VDD=30V,V세대=10V, RG=6Ω ID=1A,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
트레 | 상승 시간 | --- | 9 | 17 | ||
Td(꺼짐)e | 꺼짐 지연 시간 | --- | 36 | 65 | ||
Tfe | 가을 시간 | --- | 22 | 40 | ||
시세 | 입력 커패시턴스 | VDS=30V,VGS=0V , f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 215 | --- | ||
크로스 | 역방향 전송 용량 | --- | 42 | --- |