WSD4280DN22 듀얼 P 채널 -15V -4.6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 제품 개요
WSD4280DN22 MOSFET의 전압은 -15V, 전류는 -4.6A, 저항은 47mΩ, 채널은 듀얼 P채널, 패키지는 DFN2X2-6L입니다.
WINSOK MOSFET 응용 분야
양방향 차단 스위치; DC-DC 변환 애플리케이션, 리튬 배터리 충전, 전자 담배 MOSFET, 무선 충전 MOSFET, 자동차 충전 MOSFET, 컨트롤러 MOSFET, 디지털 제품 MOSFET, 소형 가전 MOSFET, 가전 MOSFET.
WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.
팬짓 MOSFET PJQ2815
MOSFET 매개변수
| 상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
| VDS | 드레인 소스 전압 | -15 | V |
| VGS | 게이트 소스 전압 | ±8 | V |
| ID@Tc=25℃ | 연속 배수 전류, VGS= -4.5V1 | -4.6 | A |
| IDM | 300μS 펄스 드레인 전류, (VGS=-4.5V) | -15 | A |
| PD | T 이상에서 전력 손실 감소A = 25℃(주2) | 1.9 | W |
| TSTG,티J | 보관 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
| RθJA | 열 저항 접합 주변1 | 65 | ℃/W |
| RθJC | 내열성 접합 케이스1 | 50 | ℃/W |
전기적 특성(별도의 언급이 없는 한 TJ=25 ℃)
| 상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
| BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, 나는D=-250uA | -15 | --- | --- | V |
| △BVDSS/ △TJ | BVDSS 온도 계수 | 25℃를 기준으로 ID=-1mA | --- | -0.01 | --- | V/℃ |
| RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=-4.5V, 나는D=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
| VGS=-2.5V, 나는D=-1A | --- | 61 | 80 | |||
| VGS=-1.8V, 나는D=-1A | --- | 90 | 150 | |||
| VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, 나D=-250uA | -0.4 | -0.62 | -1.2 | V |
| △VGS(일) | VGS(일)온도 계수 | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=-10V, VGS=0V, 티J=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-10V, VGS=0V, 티J=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | 순방향 상호컨덕턴스 | VDS=-5V, 나는D=-1A | --- | 10 | --- | S |
| Rg | 게이트 저항 | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
| Qg | 총 게이트 충전(-4.5V) | VDS=-10V, VGS=-4.5V, 나는D=-4.6A | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 2.3 | --- | ||
| Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=-10V,VGS=-4.5V, RG=1Ω ID=-3.9A, | --- | 15 | --- | ns |
| Tr | 상승 시간 | --- | 16 | --- | ||
| Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 30 | --- | ||
| Tf | 가을 시간 | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | 입력 커패시턴스 | VDS=-10V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 98 | --- | ||
| CRSS | 역방향 전송 용량 | --- | 96 | --- |
