WSD4080DN56 N채널 40V 85A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

제품

WSD4080DN56 N채널 40V 85A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

간단한 설명:

부품 번호:WSD4080DN56

BVDSS:40V

ID:85A

RD손:4.5mΩ 

채널:N채널

패키지:DFN5X6-8


제품 세부정보

애플리케이션

제품 태그

WINSOK MOSFET 제품 개요

WSD4080DN56 MOSFET의 전압은 40V, 전류는 85A, 저항은 4.5mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.

WINSOK MOSFET 응용 분야

소형 가전 MOSFET, 휴대용 가전 MOSFET, 모터 MOSFET.

WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.

AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS 반도체 MOSFET PDC496X.

MOSFET 매개변수

상징

매개변수

평가

단위

VDS

드레인 소스 전압

40

V

VGS

게이트소우rCE 전압

±20

V

ID@TC=25℃

연속 배수 전류, VGS @ 10V1

85

A

ID@TC=100℃

연속 배수 전류, VGS @ 10V1

58

A

IDM

펄스 드레인 전류2

100

A

EAS

단일 펄스 눈사태 에너지3

110.5

mJ

IAS

눈사태 전류

47

A

PD@TC=25℃

총 전력 손실4

52.1

W

TSTG

보관 온도 범위

-55~150

TJ

작동 접합 온도 범위

-55~150

RθJA

열 저항 접합 - 주변1

62

/W

RθJC

내열성 접합 케이스1

2.4

/W

 

상징

매개변수

정황

최소

유형

최대.

단위

BVDSS

드레인 소스 항복 전압 VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

RDS(켜짐)

정적 드레인 소스 온 저항2 VGS=10V, ID=10A

---

4.5

6.5

VGS=4.5V, ID=5A

---

6.4

8.5

VGS(일)

게이트 임계값 전압 VGS=VDS, ID =250uA

1.0

---

2.5

V

IDSS

드레인 소스 누설 전류 VDS=32V , VGS=0V , TJ=25

---

---

1

uA

VDS=32V , VGS=0V , TJ=55

---

---

5

IGS

게이트 소스 누설 전류 VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

순방향 상호컨덕턴스 VDS=10V, ID=5A

---

27

---

S

Qg

총 게이트 충전(4.5V) VDS=20V , VGS=4.5V , ID=10A

---

20

---

nC

Qgs

게이트 소스 요금

---

5.8

---

Qgd

게이트-드레인 충전

---

9.5

---

Td(켜짐)

켜기 지연 시간 VDD=15V , VGS=10V RG=3.3Ω

ID=1A

---

15.2

---

ns

Tr

상승 시간

---

8.8

---

Td(꺼짐)

꺼짐 지연 시간

---

74

---

Tf

가을 시간

---

7

---

시스

입력 커패시턴스 VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz

---

2354

---

pF

코스

출력 커패시턴스

---

215

---

Crss

역방향 전송 용량

---

175

---

IS

연속 소스 전류1,5 VG=VD=0V, 강제 전류

---

---

70

A

VSD

다이오드 순방향 전압2 VGS=0V , IS=1A , TJ=25

---

---

1

V


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