WSD4076DN56 N채널 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 제품 개요
WSD4076DN56 MOSFET의 전압은 40V, 전류는 76A, 저항은 6.9mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.
WINSOK MOSFET 응용 분야
소형 가전 MOSFET, 휴대용 가전 MOSFET, 모터 MOSFET.
WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.
STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.
PANJIT MOSFET PJQ5442.
POTENS 반도체 MOSFET PDC496X.
MOSFET 매개변수
| 상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
| VDS | 드레인 소스 전압 | 40 | V |
| VGS | 게이트소우rCE 전압 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | 연속 배수 전류, VGS@ 10V | 76 | A |
| ID@TC=100℃ | 연속 배수 전류, VGS@ 10V | 33 | A |
| IDM | 펄스 드레인 전류a | 125 | A |
| EAS | 단일 펄스 눈사태 에너지b | 31 | mJ |
| IAS | 눈사태 전류 | 31 | A |
| PD@Ta=25℃ | 총 전력 손실 | 1.7 | W |
| TSTG | 보관 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 작동 접합 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
| 상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
| BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, 나는D=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/ΔTJ | BVDSS온도 계수 | 25 참조℃, 나D=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=10V, 나는D=12A | --- | 6.9 | 8.5 | mΩ |
| RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=4.5V, 나는D=10A | --- | 10 | 15 | mΩ |
| VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, 나D=250uA | 1.5 | 1.6 | 2.5 | V |
| △VGS(일) | VGS(일)온도 계수 | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=32V, VGS=0V, 티J=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, 티J=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | 순방향 상호컨덕턴스 | VDS=5V, 나는D=20A | --- | 18 | --- | S |
| Rg | 게이트 저항 | VDS=0V,VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.7 | --- | Ω |
| Qg | 총 게이트 충전(10V) | VDS=20V, VGS=4.5V, 나는D=12A | --- | 5.8 | --- | nC |
| Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 3.0 | --- | ||
| Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 1.2 | --- | ||
| Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=15V, V세대=10V, RG=3.3Ω, 나D=1A . | --- | 12 | --- | ns |
| Tr | 상승 시간 | --- | 5.6 | --- | ||
| Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 20 | --- | ||
| Tf | 가을 시간 | --- | 11 | --- | ||
| Ciss | 입력 커패시턴스 | VDS=15V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 680 | --- | pF |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 185 | --- | ||
| CRSS | 역방향 전송 용량 | --- | 38 | --- |
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