WSD40200DN56G N채널 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

제품

WSD40200DN56G N채널 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

간단한 설명:

부품 번호:WSD40200DN56G

BVDSS:40V

ID:180A

RD손:1.15mΩ 

채널:N채널

패키지:DFN5X6-8


제품 세부정보

애플리케이션

제품 태그

WINSOK MOSFET 제품 개요

WSD40120DN56G MOSFET의 전압은 40V, 전류는 120A, 저항은 1.4mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.

WINSOK MOSFET 응용 분야

전자 담배 MOSFET, 무선 충전 MOSFET, 드론 MOSFET, 의료용 MOSFET, 차량용 충전기 MOSFET, 컨트롤러 MOSFET, 디지털 제품 MOSFET, 소형 가전 MOSFET, 가전 MOSFET.

WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.ST마이크로일렉트로닉스 MOSFET STL14N4F7AG.POTENS 반도체 MOSFET PDC496X.

MOSFET 매개변수

상징

매개변수

평가

단위

VDS

드레인 소스 전압

40

V

VGS

게이트소우rCE 전압

±20

V

ID@TC=25

연속 배수 전류, VGS@ 10V1

120

A

ID@TC=100

연속 배수 전류, VGS@ 10V1

82

A

IDM

펄스 드레인 전류2

400

A

EAS

단일 펄스 눈사태 에너지3

400

mJ

IAS

눈사태 전류

40

A

PD@TC=25

총 전력 손실4

125

W

TSTG

보관 온도 범위

-55~150

TJ

작동 접합 온도 범위

-55~150

 

상징

매개변수

정황

최소

유형

최대.

단위

BVDSS

드레인 소스 항복 전압 VGS=0V, 나는D=250uA

40

---

---

V

BVDSS/ΔTJ

BVDSS온도 계수 25 참조, 나D=1mA

---

0.043

---

V/

RDS(켜짐)

정적 드레인 소스 온 저항2 VGS=10V, 나는D=20A

---

1.4

1.8

mΩ

RDS(켜짐)

정적 드레인 소스 온 저항2 VGS=4.5V, 나는D=20A

---

2.0

2.6

VGS(일)

게이트 임계값 전압 VGS=VDS, 나D=250uA

1.2

1.6

2.2

V

VGS(일)

VGS(일)온도 계수

---

-6.94

---

mV/

IDSS

드레인 소스 누설 전류 VDS=32V,VGS=0V, 티J=25

---

---

1

uA

VDS=32V,VGS=0V, 티J=55

---

---

5

IGS

게이트 소스 누설 전류 VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

순방향 상호컨덕턴스 VDS=5V, 나는D=20A

---

53

---

S

Rg

게이트 저항 VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

총 게이트 충전(10V) VDS=15V, VGS=10V, 나는D=20A

---

45

---

nC

Qgs

게이트 소스 요금

---

12

---

Qgd

게이트-드레인 충전

---

18.5

---

Td(켜짐)

켜기 지연 시간 VDD=15V, V세대=10V, RG=3.3Ω, 나D=20A,RL=15Ω.

---

18.5

---

ns

Tr

상승 시간

---

9

---

Td(꺼짐)

꺼짐 지연 시간

---

58.5

---

Tf

가을 시간

---

32

---

Ciss

입력 커패시턴스 VDS=20V, VGS=0V , f=1MHz --- 3972 ---

pF

코스

출력 커패시턴스

---

1119 ---

CRSS

역방향 전송 용량

---

82

---

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