WSD4018DN22 P 채널 -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 제품 개요
WSD4018DN22 MOSFET의 전압은 -40V, 전류는 -18A, 저항은 26mΩ, 채널은 P채널, 패키지는 DFN2X2-6L입니다.
WINSOK MOSFET 응용 분야
첨단 고밀도 셀 밀도 트렌치 기술, 초저 게이트 전하, 탁월한 Cdv/dt 효과 감소 Green Device 사용 가능, 얼굴 인식 장비 MOSFET, 전자 담배 MOSFET, 소형 가전 MOSFET, 차량용 충전기 MOSFET.
WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.
AOS MOSFET AON2409,POTENS MOSFET PDB3909L
MOSFET 매개변수
| 상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
| VDS | 드레인 소스 전압 | -40 | V |
| VGS | 게이트 소스 전압 | ±20 | V |
| ID@Tc=25℃ | 연속 배수 전류, VGS@ -10V1 | -18 | A |
| ID@Tc=70℃ | 연속 배수 전류, VGS@ -10V1 | -14.6 | A |
| IDM | 300μS 펄스 드레인 전류,VGS=-4.5V2 | 54 | A |
| PD@Tc=25℃ | 총 전력 손실3 | 19 | W |
| TSTG | 보관 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 작동 접합 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
전기적 특성(별도의 언급이 없는 한 TJ=25 ℃)
| 상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
| BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, 나는D=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/ △TJ | BVDSS 온도 계수 | 25℃를 기준으로 ID=-1mA | --- | -0.01 | --- | V/℃ |
| RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=-10V, 나는D=-8.0A | --- | 26 | 34 | mΩ |
| VGS=-4.5V, 나는D=-6.0A | --- | 31 | 42 | |||
| VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, 나D=-250uA | -1.0 | -1.5 | -3.0 | V |
| △VGS(일) | VGS(일)온도 계수 | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=-40V, VGS=0V, 티J=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-40V, VGS=0V, 티J=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | 총 게이트 충전(-4.5V) | VDS=-20V, VGS=-10V, 나는D=-1.5A | --- | 27 | --- | nC |
| Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 2.5 | --- | ||
| Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 6.7 | --- | ||
| Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=-20V, VGS=-10V,RG=3Ω, RL=10Ω | --- | 9.8 | --- | ns |
| Tr | 상승 시간 | --- | 11 | --- | ||
| Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 54 | --- | ||
| Tf | 가을 시간 | --- | 7.1 | --- | ||
| Ciss | 입력 커패시턴스 | VDS=-20V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 1560 | --- | pF |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 116 | --- | ||
| CRSS | 역방향 전송 용량 | --- | 97 | --- |
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