WSD40120DN56G N채널 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 제품 개요
WSD40120DN56G MOSFET의 전압은 40V, 전류는 120A, 저항은 1.4mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.
WINSOK MOSFET 응용 분야
전자 담배 MOSFET, 무선 충전 MOSFET, 드론 MOSFET, 의료용 MOSFET, 차량용 충전기 MOSFET, 컨트롤러 MOSFET, 디지털 제품 MOSFET, 소형 가전 MOSFET, 가전 MOSFET.
WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.ST마이크로일렉트로닉스 MOSFET STL14N4F7AG.POTENS 반도체 MOSFET PDC496X.
MOSFET 매개변수
상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
VDS | 드레인 소스 전압 | 40 | V |
VGS | 게이트소우rCE 전압 | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | 연속 배수 전류, VGS@ 10V1 | 120 | A |
ID@TC=100℃ | 연속 배수 전류, VGS@ 10V1 | 82 | A |
IDM | 펄스 드레인 전류2 | 400 | A |
EAS | 단일 펄스 눈사태 에너지3 | 400 | mJ |
IAS | 눈사태 전류 | 40 | A |
PD@TC=25℃ | 총 전력 손실4 | 125 | W |
TSTG | 보관 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
TJ | 작동 접합 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, 나는D=250uA | 40 | --- | --- | V |
△BVDSS/ΔTJ | BVDSS온도 계수 | 25 참조℃, 나D=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=10V, 나는D=20A | --- | 1.4 | 1.8 | mΩ |
RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=4.5V, 나는D=20A | --- | 2.0 | 2.6 | mΩ |
VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, 나D=250uA | 1.2 | 1.6 | 2.2 | V |
△VGS(일) | VGS(일)온도 계수 | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=32V,VGS=0V, 티J=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=32V,VGS=0V, 티J=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | 순방향 상호컨덕턴스 | VDS=5V, 나는D=20A | --- | 53 | --- | S |
Rg | 게이트 저항 | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
Qg | 총 게이트 충전(10V) | VDS=15V, VGS=10V, 나는D=20A | --- | 45 | --- | nC |
Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 12 | --- | ||
Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 18.5 | --- | ||
Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=15V, V세대=10V, RG=3.3Ω, 나D=20A,RL=15Ω. | --- | 18.5 | --- | ns |
Tr | 상승 시간 | --- | 9 | --- | ||
Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 58.5 | --- | ||
Tf | 가을 시간 | --- | 32 | --- | ||
Ciss | 입력 커패시턴스 | VDS=20V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 3972 | --- | pF |
코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 1119 | --- | ||
CRSS | 역방향 전송 용량 | --- | 82 | --- |