WSD30L88DN56 듀얼 P 채널 -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
일반 설명
WSD30L88DN56은 극도로 높은 셀 밀도를 갖춘 최고 성능의 트렌치 듀얼 P-Ch MOSFET으로, 대부분의 동기식 벅 컨버터 애플리케이션에 탁월한 RDSON 및 게이트 전하를 제공합니다. WSD30L88DN56은 RoHS 및 친환경 제품 요구 사항을 충족하며 전체 기능 신뢰성이 승인되어 100% EAS를 보장합니다.
특징
고급 높은 셀 밀도 트렌치 기술 ,초저 게이트 전하 ,우수한 CdV/dt 효과 감소 ,100% EAS 보장 ,친환경 장치 사용 가능.
응용
고주파 POL(Point-of-Load) 동기식, MB/NB/UMPC/VGA용 벅 컨버터, 네트워킹 DC-DC 전원 시스템, 로드 스위치, 전자 담배, 무선 충전, 모터, 드론, 의료, 자동차 충전기, 컨트롤러, 디지털 제품, 소형 가전 제품, 가전 제품.
해당 자재번호
AOS
중요한 매개변수
상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
VDS | 드레인 소스 전압 | -30 | V |
VGS | 게이트 소스 전압 | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | 연속 드레인 전류, VGS @ -10V1 | -49 | A |
ID@TC=100℃ | 연속 드레인 전류, VGS @ -10V1 | -23 | A |
IDM | 펄스 드레인 전류2 | -120 | A |
EAS | 단일 펄스 눈사태 에너지3 | 68 | mJ |
PD@TC=25℃ | 총 전력 소모4 | 40 | W |
TSTG | 보관 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
TJ | 작동 접합 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
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