WSD30350DN56G N채널 30V 350A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 제품 개요
WSD30350DN56G MOSFET의 전압은 30V, 전류는 350A, 저항은 1.8mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.
WINSOK MOSFET 응용 분야
전자 담배 MOSFET, 무선 충전 MOSFET, 드론 MOSFET, 의료용 MOSFET, 차량용 충전기 MOSFET, 컨트롤러 MOSFET, 디지털 제품 MOSFET, 소형 가전 MOSFET, 가전 MOSFET.
MOSFET 매개변수
| 상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 |
| VDS | 드레인 소스 전압 | 30 | V |
| VGS | 게이트소우rCE 전압 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | 연속 배수 전류（실리콘 리미티드)1,7 | 350 | A |
| ID@TC=70℃ | 연속 배수 전류(실리콘 제한))1,7 | 247 | A |
| IDM | 펄스 드레인 전류2 | 600 | A |
| EAS | 단일 펄스 눈사태 에너지3 | 1800 | mJ |
| IAS | 눈사태 전류 | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | 총 전력 손실4 | 104 | W |
| TSTG | 보관 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 작동 접합 온도 범위 | -55~150 | ℃ |
| 상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
| BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, 나는D=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/ΔTJ | BVDSS온도 계수 | 25 참조℃, 나D=1mA | --- | 0.022 | --- | V/℃ |
| RDS(켜짐) | 정적 드레인 소스 온 저항2 | VGS=10V, 나는D=20A | --- | 0.48 | 0.62 | mΩ |
| VGS=4.5V, 나는D=20A | --- | 0.72 | 0.95 | |||
| VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, 나D=250uA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| △VGS(일) | VGS(일)온도 계수 | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=24V, VGS=0V, 티J=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, 티J=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | 순방향 상호컨덕턴스 | VDS=5V, 나는D=10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | 게이트 저항 | VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | 총 게이트 충전(4.5V) | VDS=15V, VGS=4.5V, 나는D=20A | --- | 89 | --- | nC |
| Qgs | 게이트 소스 요금 | --- | 37 | --- | ||
| Qgd | 게이트-드레인 충전 | --- | 20 | --- | ||
| Td(켜짐) | 켜기 지연 시간 | VDD=15V, V세대=10V, RG=1Ω, 나D=10A | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | 상승 시간 | --- | 34 | --- | ||
| Td(꺼짐) | 꺼짐 지연 시간 | --- | 61 | --- | ||
| Tf | 가을 시간 | --- | 18 | --- | ||
| Ciss | 입력 커패시턴스 | VDS=15V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 7845 | --- | pF |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 4525 | --- | ||
| CRSS | 역방향 전송 용량 | --- | 139 | --- |
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