WSD3023DN56 N채널 및 P채널 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
일반 설명
WSD3023DN56은 극도로 높은 셀 밀도를 갖춘 최고 성능의 트렌치 N-ch 및 P-ch MOSFET으로, 대부분의 동기식 벅 컨버터 애플리케이션에 탁월한 RDSON 및 게이트 전하를 제공합니다. WSD3023DN56은 RoHS 및 친환경 제품 요구 사항을 충족하며 전체 기능 신뢰성이 승인되어 100% EAS를 보장합니다.
특징
고급 셀 밀도 트렌치 기술, 초저 게이트 전하, 우수한 CdV/dt 효과 감소, 100% EAS 보장, 친환경 장치 사용 가능.
응용
MB/NB/UMPC/VGA, 네트워킹 DC-DC 전원 시스템, CCFL 백라이트 인버터, 드론, 모터, 자동차 전자 제품, 주요 가전제품용 고주파 POL(Point-of-Load) 동기식 벅 컨버터.
해당 자재번호
판짓 PJQ5606
중요한 매개변수
상징 | 매개변수 | 평가 | 단위 | |
N-Ch | P-Ch | |||
VDS | 드레인 소스 전압 | 30 | -30 | V |
VGS | 게이트 소스 전압 | ±20 | ±20 | V |
ID | 연속 드레인 전류, VGS(NP)=10V,Ta=25℃ | 14* | -12 | A |
연속 드레인 전류, VGS(NP)=10V,Ta=70℃ | 7.6 | -9.7 | A | |
IDPa | 펄스 드레인 전류 테스트됨, VGS(NP)=10V | 48 | -48 | A |
EAS c | 눈사태 에너지, 단일 펄스, L=0.5mH | 20 | 20 | mJ |
IAS c | 눈사태 전류, 단일 펄스, L=0.5mH | 9 | -9 | A |
PD | 총 전력 손실, Ta=25℃ | 5.25 | 5.25 | W |
TSTG | 보관 온도 범위 | -55~175 | -55~175 | ℃ |
TJ | 작동 접합 온도 범위 | 175 | 175 | ℃ |
RqJAb | 열 저항 - 주변과의 접합, 정상 상태 | 60 | 60 | ℃/W |
RqJC | 열 저항 - 케이스 접합, 정상 상태 | 6.25 | 6.25 | ℃/W |
상징 | 매개변수 | 정황 | 최소 | 유형 | 최대. | 단위 |
BVDSS | 드레인 소스 항복 전압 | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
RDS(ON)d | 정적 드레인 소스 온 저항 | VGS=10V, ID=8A | --- | 14 | 18.5 | mΩ |
VGS=4.5V, ID=5A | --- | 17 | 25 | |||
VGS(일) | 게이트 임계값 전압 | VGS=VDS, ID =250uA | 1.3 | 1.8 | 2.3 | V |
IDSS | 드레인 소스 누설 전류 | VDS=20V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=20V , VGS=0V , TJ=85℃ | --- | --- | 30 | |||
IGS | 게이트 소스 누설 전류 | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Rg | 게이트 저항 | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.7 | 3.4 | Ω |
Qge | 총 게이트 요금 | VDS=15V, VGS=4.5V, IDS=8A | --- | 5.2 | --- | nC |
Qgse | 게이트 소스 요금 | --- | 1.0 | --- | ||
Qgde | 게이트-드레인 충전 | --- | 2.8 | --- | ||
Td(온)e | 켜기 지연 시간 | VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R. | --- | 6 | --- | ns |
트레 | 상승 시간 | --- | 8.6 | --- | ||
Td(꺼짐)e | 꺼짐 지연 시간 | --- | 16 | --- | ||
Tfe | 가을 시간 | --- | 3.6 | --- | ||
시세 | 입력 커패시턴스 | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 545 | --- | pF |
코스 | 출력 커패시턴스 | --- | 95 | --- | ||
크로스 | 역방향 전송 용량 | --- | 55 | --- |
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