WSD30150DN56 N채널 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

제품

WSD30150DN56 N채널 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

간단한 설명:

부품 번호:WSD30150DN56

BVDSS:30V

ID:150A

RD손:1.8mΩ 

채널:N채널

패키지:DFN5X6-8


제품 세부정보

애플리케이션

제품 태그

WINSOK MOSFET 제품 개요

WSD30150DN56 MOSFET의 전압은 30V, 전류는 150A, 저항은 1.8mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5X6-8입니다.

WINSOK MOSFET 응용 분야

E-담배 MOSFET, 무선 충전 MOSFET, 드론 MOSFET, 의료 MOSFET, 자동차 충전기 MOSFET, 컨트롤러 MOSFET, 디지털 제품 MOSFET, 소형 가전 MOSFET, 가전 MOSFET.

WINSOK MOSFET은 다른 브랜드 재료 번호에 해당합니다.

AOS MOSFET AON6512,AONS3234.

온세미, FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.

NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.

도시바 MOSFET TPH1R43NL.

PANJIT MOSFET PJQ5428.

NIKO-SEM MOSFET PKC26BB,PKE24BB.

POTENS 반도체 MOSFET PDC392X.

MOSFET 매개변수

상징

매개변수

평가

단위

VDS

드레인 소스 전압

30

V

VGS

게이트소우rCE 전압

±20

V

ID@TC=25

연속 배수 전류, VGS@ 10V1,7

150

A

ID@TC=100

연속 배수 전류, VGS@ 10V1,7

83

A

IDM

펄스 드레인 전류2

200

A

EAS

단일 펄스 눈사태 에너지3

125

mJ

IAS

눈사태 전류

50

A

PD@TC=25

총 전력 손실4

62.5

W

TSTG

보관 온도 범위

-55~150

TJ

작동 접합 온도 범위

-55~150

 

상징

매개변수

정황

최소

유형

최대.

단위

BVDSS

드레인 소스 항복 전압 VGS=0V, 나는D=250uA

30

---

---

V

BVDSS/ΔTJ

BVDSS온도 계수 25 참조, 나D=1mA

---

0.02

---

V/

RDS(켜짐)

정적 드레인 소스 온 저항2 VGS=10V, 나는D=20A

---

1.8

2.4 mΩ
VGS=4.5V, 나는D=15A  

2.4

3.2

VGS(일)

게이트 임계값 전압 VGS=VDS, 나D=250uA

1.4

1.7

2.5

V

VGS(일)

VGS(일)온도 계수

---

-6.1

---

mV/

IDSS

드레인 소스 누설 전류 VDS=24V, VGS=0V, 티J=25

---

---

1

uA

VDS=24V, VGS=0V, 티J=55

---

---

5

IGS

게이트 소스 누설 전류 VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

순방향 상호컨덕턴스 VDS=5V, 나는D=10A

---

27

---

S

Rg

게이트 저항 VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz

---

0.8

1.5

Ω

Qg

총 게이트 충전(4.5V) VDS=15V, VGS=4.5V, 나는D=30A

---

26

---

nC

Qgs

게이트 소스 요금

---

9.5

---

Qgd

게이트-드레인 충전

---

11.4

---

Td(켜짐)

켜기 지연 시간 VDD=15V, V세대=10V, RG=6Ω, 나D=1A, RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

상승 시간

---

12

---

Td(꺼짐)

꺼짐 지연 시간

---

69

---

Tf

가을 시간

---

29

---

Ciss

입력 커패시턴스 VDS=15V, VGS=0V , f=1MHz 2560 3200

3850

pF

코스

출력 커패시턴스

560

680

800

CRSS

역방향 전송 용량

260

320

420


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