WSD30140DN56 N 채널 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

제품

WSD30140DN56 N 채널 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

간단한 설명:


  • 모델 번호:WSD30140DN56
  • BVDSS:30V
  • 르드손:1.7mΩ
  • ID:85A
  • 채널:N채널
  • 패키지:DFN5*6-8
  • 제품 여름:WSD30140DN56 MOSFET의 전압은 30V, 전류는 85A, 저항은 1.7mΩ, 채널은 N채널, 패키지는 DFN5*6-8입니다.
  • 신청:전자담배, 무선충전기, 드론, 의료, 차량용 충전기, 컨트롤러, 디지털제품, 소형가전, 가전제품 등
  • 제품 세부정보

    애플리케이션

    제품 태그

    일반 설명

    WSD30140DN56은 셀 밀도가 매우 높은 최고 성능의 트렌치 N채널 MOSFET으로 대부분의 동기식 벅 컨버터 애플리케이션에 탁월한 RDSON 및 게이트 전하를 제공합니다. WSD30140DN56은 RoHS 및 친환경 제품 요구 사항을 준수하며 100% EAS 보증, 전체 기능 신뢰성 승인을 받았습니다.

    특징

    고급 높은 셀 밀도 트렌치 기술, 초저 게이트 전하, 뛰어난 CdV/dt 효과 감쇠, 100% EAS 보장, 친환경 장치 사용 가능

    응용

    고주파 부하점 동기화, 벅 컨버터, 네트워크 DC-DC 전원 시스템, 전동 공구 애플리케이션, 전자 담배, 무선 충전, 드론, 의료, 자동차 충전, 컨트롤러, 디지털 제품, 소형 가전 제품, 가전 제품

    해당 자재번호

    AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. NTMFS4847N에서. 비쉐이 SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. 인피니언 BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. 도시바 TPH4R803PL TPH3R203NL. 로옴 RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. 판짓 PJQ5410. AP AP3D5R0MT. 니코 PK610SA, PK510BA. 포텐스 PDC3803R

    중요한 매개변수

    상징 매개변수 평가 단위
    VDS 드레인 소스 전압 30 V
    VGS 게이트 소스 전압 ±20 V
    ID@TC=25℃ 연속 드레인 전류, VGS @ 10V1,7 85 A
    ID@TC=70℃ 연속 드레인 전류, VGS @ 10V1,7 65 A
    IDM 펄스 드레인 전류2 300 A
    PD@TC=25℃ 총 전력 소모4 50 W
    TSTG 보관 온도 범위 -55~150
    TJ 작동 접합 온도 범위 -55~150
    상징 매개변수 정황 최소 유형 최대. 단위
    BVDSS 드레인 소스 항복 전압 VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/ △TJ BVDSS 온도 계수 25℃ 기준, ID=1mA --- 0.02 --- V/℃
    RDS(켜짐) 정적 드레인 소스 온 저항2 VGS=10V, ID=20A --- 1.7 2.4
    VGS=4.5V, ID=15A 2.5 3.3
    VGS(일) 게이트 임계값 전압 VGS=VDS, ID =250uA 1.2 1.7 2.5 V
    드레인 소스 누설 전류 VDS=24V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 uA
    IDSS VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- 5
    IGS 게이트 소스 누설 전류 VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs 순방향 상호컨덕턴스 VDS=5V, ID=20A --- 90 --- S
    Qg 총 게이트 충전(4.5V) VDS=15V , VGS=4.5V , ID=20A --- 26 --- nC
    Qgs 게이트 소스 요금 --- 9.5 ---
    Qgd 게이트-드레인 충전 --- 11.4 ---
    Td(켜짐) 켜기 지연 시간 VDD=15V , VGEN=10V , RG=3Ω, RL=0.75Ω. --- 11 --- ns
    Tr 상승 시간 --- 6 ---
    Td(꺼짐) 꺼짐 지연 시간 --- 38.5 ---
    Tf 가을 시간 --- 10 ---
    시스 입력 커패시턴스 VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz --- 3000 --- pF
    코스 출력 커패시턴스 --- 1280 ---
    Crss 역방향 전송 용량 --- 160 ---

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